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高速フォトダイオードとFemto社製高速カレントアンプの技術を組合わせた200MHzフォトレシーバ
■ダイオードタイプはSi製／InGaAs製の二種類で、波長域はそれぞれ320～1000nm／900～1700nm ■トランスインピーダンスは2×104V/Aで、最大変換利得はInGaAsモデルで1550nmで2×104V/W ■洗練されたDCカップルマルチステージアンプ設計により、最小立上り時間1.8nsに相当するバンド幅DC～200MHzの測定が可能 ■最小NEP値は約6pW/vHzで、μWレンジの光パワーシグナルも余計な平均化を行うことなく検出できる
QPhotonicsは200～1700nmレンジの光半導体デバイスを多数供給しています
■波長：250～305nmの紫外光LED(UV-LED)
QPhotonicsは200～1700nmレンジの光半導体デバイスを多数供給しています
■波長：650～1660nmのスーパールミネッセントダイオード(SLED) ■空間出力／ファイバ出力
Andover 社では紫外から近赤外までの広い波長域をカバーする多彩なバンドパスフィルタセットを製造しています。
■スタンダードバンドパスフィルタ(標準品) ・ソフトコーティング ・波長：193～1665nm ・バンド幅：1～100nm ・ブロッキング：OD4、UV-FIR ・サイズ：12.5mm／25mm／50mm ■セミカスタムバンドパスフィルタ ・ハードコーティング ・波長：214～2400nm ・バンド幅：0.15～100nm ・ブロッキング：1μm、FIR ・サイズ：12.5mm／25mm／50mm ＊お問合せ時の必要情報：中心波長、バンド幅、ブロック波長、数量 ■ハードコート、ナローバンド幅バンドパスフィルタ ・ハードコーティング ・波長：334～1550nm ・バンド幅：10nm ・ブロッキング：OD4(平均)、Blocking 200～1200nm(※1550nm用は1800nmまで) ・サイズ：25mm ■ハードコート、ブロードバンド幅バンドパスフィルタ ・ハードコーティング ・波長：345～785nm ・バンド幅：80～300nm ・ブロッキング：OD4(平均)、Blocking要チェック ・サイズ：12.5nm／25mm／50mm
DenseLight社では、自社のSLEDラインナップをドライバ・温度コントローラ付のモジュールでご提案します
■SLED(スーパールミネッセントダイオード)は、レーザダイオードの高出力と高輝度・低コヒーレンス性を兼ね備えた端面発光型半導体レーザ
X1 or P-9710シリーズのハンドヘルド型オプトメータに各種プローブを組み合わせた紫外光専用の照度計
■計測器はUV-C～NIR(200～2500nm)の波長範囲に対応し、自社ラボにある標準器にて全波長の校正作業が可能 ■UV-A、UV-B及びUV-C光の放射強度(W/m²)及び積算照度(J/m²)を測定することが可能
◆100%全自動2波長双方向ロス試験を5秒以内に完了◆ファイバ両端からの測定合否判定が一つの操作で完了
◆最適化のためのナビゲーション機能付 ◆～200kmのファイバ測定に対応 ●Telco 全自動 OLTS モジュール FTBx-940/945 Telco OLTS は、完全自動の双方向 FasTesT(TM)分析により、2 波長での挿入損失（IL）、光反射損失（ORL）、ファイバ長を 5 秒以内に測定することができます。 FTTx認証やフィールドロス試験をよりスピーディーに行うことができます。 ●Telco、FTTx、フィールド試験用OLTSモジュール 1996年の発表以来、EXFO社で特許取得済みのFasTesT(TM)テクノロジーは、 試験シーケンスを完全に自動化することにより、フィールドでの試験やトラブルシューティングの時間を大幅に短縮し、業界に革命をもたらしました。 CAPEX/OPEXを真に節約することができます。 EXFO社は1985年の創業以来 独自性の高い製品開発と確かな品質で業界をリードし続ける、光通信用測定器のリーディングカンパニーです。 オプティカル分野の製品群においては世界No1のシェアを持ちます。
種々の微弱光の高速測定に最適なゲイン可変フォトレシーバ
■変換効率は103～1011V/W範囲から設定でき、AC/DCカップリングも変更可能 ■手動／PCによる光アイソレートリモートの両方でコントロール可能 ■低ノイズなマルチステージアンプデザインと切替え可能な10Hzローパスフィルタにより、最小100fWレンジまでの光パワーを高い精度で測定でき、信号の平均化も不要 ■高い安定性、ドリフトの低減、及びNIST標準に基づく校正により、最大ゲイン設定でも安定性の高い正確な測定を保証 ■産業プロセス管理や品質検査システムにおける高速フォトディテクタやロックインアンプシステム用光フロントエンドなどに最適 ■最大バンド幅は500kHzで、サブマイクロ秒までの時間分解測定にも利用できる
アルミニウム又は銅がコートされた石英ファイバで、耐熱・耐湿・耐放射線性に優れ、厳しい環境下での使用が可能
■密閉した金属被覆された光ファイバは、石英-石英ファイバの全ての利点を有する ■密閉処理を行っていないファイバやポリマークラッドファイバ(PCF)に比べ、機械強度や疲労抵抗が著しく改善される ■200～2400nmの透過スペクトルをカバーし、シリカガラスに対する腐食性科学物質はそのまま ■温度範囲：-196℃～+600℃、湿度：100%までカバー ■高真空や厳しい環境下で使用する場合、密閉した金属コート付光ファイバが最適な候補
FORC Photonics社では、以下のような2種類の非線形ファイバ(HNLF)を提供しております
■HNLF ファイバの非線形効果を最大且つ光学ロスを最小にするようにデザインされており、ラマン分光用光源や増幅器、分散補償器を構成する際に用いられる。 ・コア径(μｍ)：4±0.5 ・クラッド径(μm)：125±1 ・コアNA：～0.32 ・MFD@1550nm(μm)：～4.2 ・カットオフ波長(μm)：～1 ・分散(1550nm)ps/nm/km：＞50 ・光学ロス(1550nm)dB/km：＜5 ・Nonconcentricity(μm)：＜0.5 ・ゼロ分散波長(nm)：＞2300 ■HNLF DS 1550nmの帯域でゼロ分散波長へシフトすることを求められるアプリケーション用にデザイン。 ・コア径(μｍ)：4.5±0.5 ・クラッド径(μm)：125±1 ・コアNA：～0.32 ・MFD@1550nm(μm)：～4.2 ・カットオフ波長(μm)：～1.5 ・分散(1550nm)ps/nm/km：±4 ・光学ロス(1550nm)dB/km：＜5 ・Nonconcentricity(μm)：＜0.5 ・ゼロ分散波長(nm)：1480～1565nm
高速フォトダイオードとFemto社製高速カレントアンプの技術を組合わせた400MHzフォトレシーバ
■ダイオードタイプはSi製／InGaAs製の二種類で、波長域はそれぞれ320～1000nm／900～1700nm ■トランスインピーダンスは5×103V/Aで、最大変換利得はInGaAsモデル1550nmで5×103V/W ■洗練されたDCカップルマルチステージアンプ設計により、最小立上り時間1nsに相当するバンド幅DC～400MHzの測定が可能 ■低ノイズのため、数μWの光でも平均化を行わずに測定することができる ■入力はフリースペースまたはファイバカップル
Andover社では、金属コーティング及び吸収型のNDフィルタを製造しています
■メタリックNDフィルタ(Metallic ND Filter) ・ご希望の波長域で選択された基盤の上に金属合金を堆積させることにより光学密度を得る ■吸収型NDフィルタ(Absorptive ND Filter) ・Schott NGガラスを使い製造されており、所望の減衰レベルを得るためにガラスの吸収効果に厳密に依存する ＊これらのNDフィルタはセットでも販売しております ＊セットは全て収納木箱付きで提供致します
ファイバカップルされた音響光学チューナブルフィルタ(Fiber coupled AOTF)
■広い波長レンジ(1000～1200nm／1250～1350nm／1500～1600nm)に対応 ■RFの周波数と強度を調整させることにより、2nm～の分解能で高速正確にフィルタリング可能 ■偏波保持ファイバ(PMF) ■広範囲スペクトルカラーフィルタ
■偏向依存タイプ（レーザー光が直線偏向）・偏向無依存タイプ（レーザー光がランダム偏向）どちらに関しても準備をしております。
フリースペースアイソレータはレーザー戻り光の防止に使用されております。偏向依存タイプ（レーザー光が直線偏向）・偏向無依存タイプ（レーザー光がランダム偏向）どちらに関しても準備をしております。 CASTECH社はこのフリースペースアイソレータ内で使用される磁気光学結晶を自ら製造して高品質のフリースペースアイソレータを製造販売しております。これにより波長帯域（355-4500nm）のレーザーに対応した製品供給が可能です。 ◆フリースペースアイソレータ ◆磁気光学結晶製造 ◆355-4500nm対応 CASTECH社は高品質な光学結晶・レーザー結晶を30年以上渡り供給し続けていますが、その技術を応用しましてレーザーコンポネント製品の供給を開始いたしました。（内部で使用している結晶・オプティクスはCASTECH社製造です）特徴のあるレーザーコンポネント（アイソレータ，光弾性変調器，AOM，EOM 等）を実験・製品にお役立てください。
最先端のフォトダイオードとFemto社製GHzアンプの技術を組合わせた高性能な2GHzフォトレシーバ
■ダイオードタイプはSi製／InGaAs製で、波長域はそれぞれ320～1000nm／850～1700nm ■Si製モデルのHSA-X-S-1G4-SIは、ディテクタチップの前面にボールレンジを配置し、活性領域直径は0.8mm ■トランスインピーダンスは5×103V/A ■最小NEPはわずか14pW/vHzで、μWレンジの光パワーレベルでも測定可能
