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最新のトレンチDMOSテクノロジーを採用！シングルチャンネルMOSFET
ELM2H400SA-S/ELM2H401SA-Sは低入力容量、低電圧駆動、低ON抵抗という特性を備えた大電流MOS FETです。 パッケージは、SOT-723を採用しています。 株式会社エルムテクノロジー従来製品SOT-23と比較して面積比は1/4です。 【特徴】 ○低入力容量 ○低ON抵抗 ○低電圧駆動 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
基板実装後の温度印加による熱膨張収縮に伴うパッケージクラックリスクを軽減
防衛・航空機器向け及び宇宙機器向けの多種多様なパッケージタイプでDiscrete製品を取り揃えております。 SupIR SMD-2の特長 ■小型・軽量 ■温度抵抗0.25℃ / W減(キャリア付SMD-2との比較) ※画像を参照下さい ■パッケージ抵抗の軽減 ■寄生インダクタンスの軽減 ■より高いIDの電流定格 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせください。
Central Semiconductor MOSFET CMUDM7004
セントラセミコンダクタ―社の下記4製品は自動運転システムの「LiDAR」に最適なデバイスとなっており、海外LiDARメーカーに採用されている製品となります。
PQFN 2x2パッケージのきわめて低い熱抵抗！最大55Aまでの高連続電流対応
『OptiMOS 5 MOSFET 25V/30V』は、高性能アプリケーション向けに最適化された 製品です。 小型な外形、オン抵抗〔RDS(on)〕、スイッチング性能において、素晴らしい 新基準を打ち立てました。 PQFN 2x2パッケージのきわめて低い熱抵抗。基板の配線設計の自由度が 高い小型パッケージです。 【特長】 ■高性能アプリケーション向けに最適化 ■高い効率と電力密度を実現するために最適化済み ■大幅な省スペース化を実現 ■システムコスト削減 ■きわめて低い電圧オーバーシュート ■並列化の必要性を低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ハードおよびソフトスイッチング、SMPSトポロジで活用可能
『CoolMOS SJ MOSFET』の利点をご紹介いたします。 ハードスイッチングでは、力率改善回路に使用可能。また、 ソフトスイッチングでは、ZVS位相シルトフルブリッジや LLCハーフブリッジに好適です。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
モーター駆動などのスイッチング素子として利用！大電流の高速のスイッチに好適
『MOSFET』(モスフェット)とは、電界効果トランジスタ(FET)に 金属酸化膜半導体(MOS)を組み合わせたトランジスタです。 ゲート・ソース間の印加電圧によってスイッチング制御を 行うことが可能。 モーター駆動などのスイッチング素子として利用されることが多く、 特に大電流を高速にスイッチするのに適しています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル MOSFET 2SK2009(F) ■Toshiba Nチャンネル MOSFET 2SK4017(Q) ■Toshiba Nチャンネル MOSFET SSM3K7002FU(F) ■onsemi Nチャンネル MOSFET BS170 ■onsemi Nチャンネル MOSFET 2N7000 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
航空・防衛機器向け高信頼性MOSFETs（Hermetic MOSFETs）と耐放射線性を有する宇宙機器向けMOSFETs
ご用途やご要求仕様に応じ、防衛・航空機器向け及び宇宙機器向けの多種多様なパッケージタイプでDiscrete製品を取り揃えております。 R9シリーズの特長 Super Junction Technologyを採用したR9シリーズをリリース ■性能指標 FoM (オン抵抗RDSON × 電荷Qg）の大幅な改善 ■シングルイベントエフェクト（SEE）耐性の向上 ■パッケージは、表面実装（SMD-0.2、 SMD-0.5、 SMD-2)、 スルーホール（TO-254、 TO-257）の他、SupIR SMD-2にも対応 ※比較 【従来品】 【R9シリーズ】 ■RDS(ON)＝30（ｍΩ） ■RDS(ON)＝18（ｍΩ） ■Qg＝45（ｎC） ■Qg＝45（ｎC） ■ID＝22(A) ■ID＝40(A） ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせください。
パワー密度の向上が可能！ThinPAK 8x8に封止されたスーパージャンクションMOSFET
『650V CoolMOS CFD7』は、高速ボディダイオードを内蔵し、大電力の 共振トポロジーに好適なスーパージャンクションMOSFETです。 スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフルブリッジ (ZVS) 回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、高い効率を実現。 産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率と全負荷効率の向上、 また転流本格使用に備えた優れた堅牢性といった利点があります。 【特長】 ■転流本格使用に備えた優れた堅牢性 ■バス電圧が上昇した設計のための安全マージンの追加 ■パワー密度の向上が可能 ■産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率 ■産業用SMPSアプリケーションにおける全負荷効率の向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
車載から通信機器まで、パワー半導体ならCystech
【会社概要】 Cystech Electronics Corp.は、2002年に台湾で創業されたパワー半導体専門メーカーです。MOSFET、トランジスタ、ダイオード、ICを中心とした製品展開を行い、ISO9001・ISO14001・ISO45001などの認証を取得。台湾証券取引所に上場し、グローバル市場に向けた高信頼・高性能の製品を提供しています。 【主要製品】 MOSFET（低電圧～高電圧、ハイスピードタイプまで） トランジスタ（バイポーラ、デジタル） ダイオード（スイッチング、ツェナー、ショットキー） 【強み・信頼性】 台湾、日本、中国に製造・組立の生産ネットワークを確立 厳格な品質保証システムと信頼性評価体制を整備 顧客フィードバックを活かした継続的な改善プロセス
