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【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
シングルパワーMOSFETシリーズは、低入力容量、低電圧駆動、低ON抵抗という特性を備えた大電流MOSFETです。 シングルPチャンネルのELM43401CA は低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 保護回路によってESDに耐性がある製品もあります。弊社HPをご確認ください。 ※43401CAの詳しくはカタログをご覧いただくか、またはお気軽にお問い合わせ下さい。
20V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD15380F3』
『CSD15380F3』 は、20V、990mΩ、N-チャネルの FemtoFETMOSFETで、多くのハンドヘルドおよび モバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。 容量が非常に小さいため、高速にスイッチングを実行できます。データライン・アプリケーションで 使用するとき、容量が低いことからノイズ・カップリングを最小に抑えられます。 標準の小信号MOSFETをこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。 【特長】 ■非常に低いCiSSおよびCOSS ■非常に低いQgおよびQgd ■超小型フットプリント：0.73mm×0.64mm ■超薄型プロファイル：最大高0.35mm ■鉛およびハロゲン不使用 ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。
基板実装後の温度印加による熱膨張収縮に伴うパッケージクラックリスクを軽減
防衛・航空機器向け及び宇宙機器向けの多種多様なパッケージタイプでDiscrete製品を取り揃えております。 SupIR SMD-2の特長 ■小型・軽量 ■温度抵抗0.25℃ / W減(キャリア付SMD-2との比較) ※画像を参照下さい ■パッケージ抵抗の軽減 ■寄生インダクタンスの軽減 ■より高いIDの電流定格 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせください。
Central Semiconductor MOSFET CMUDM7004
セントラセミコンダクタ―社の下記4製品は自動運転システムの「LiDAR」に最適なデバイスとなっており、海外LiDARメーカーに採用されている製品となります。
現行品及び製造中止品の製品ポートフォリオをぜひご確認ください/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターエレクトロニクスは東芝デバイス＆ストレージ株式会社とのパートナーシップ締結により、継続的に製品を入荷し、保有しています。 東芝製品のポートフォリオ： ・MOSFETおよびバイポーラトランジスタ ・フォトカプラおよびアイソレータ/ソリッドステートリレー(SSR) ・標準ロジック製品 ・LDOレギュレータ ・その他多数の製品を取り揃えています！ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
PQFN 2x2パッケージのきわめて低い熱抵抗！最大55Aまでの高連続電流対応
『OptiMOS 5 MOSFET 25V/30V』は、高性能アプリケーション向けに最適化された 製品です。 小型な外形、オン抵抗〔RDS(on)〕、スイッチング性能において、素晴らしい 新基準を打ち立てました。 PQFN 2x2パッケージのきわめて低い熱抵抗。基板の配線設計の自由度が 高い小型パッケージです。 【特長】 ■高性能アプリケーション向けに最適化 ■高い効率と電力密度を実現するために最適化済み ■大幅な省スペース化を実現 ■システムコスト削減 ■きわめて低い電圧オーバーシュート ■並列化の必要性を低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
よりコンパクトに、より簡単に設計可能！アクティブブリッジ整流に好適
『CoolMOS S7』は、コンパクトなSMDパッケージの 高電圧SJ MOSFETに関して、低伝導損失と低いRDS(on)を 特長として最適化されている製品です。 RDS(on)×価格メリットの数字を搭載し、ソリッドステート回路 ブレーカーやリレー、PLC、バッテリー保護、ハイパワー電源の アクティブブリッジ整流に好適。 また、トップサイド冷却により伝導損失を小さく抑え、 電力密度を大きくする、効率的なSMD冷却を実現しました。 【特長】 ■低RDS(on) ■コンパクトな上面冷却型QDPAK＆TO-220パッケージ ■導通性能に最適化 ■耐熱性の向上 ■高パルス電流対応 ■ケルビンソース端子により、大電流でのスイッチング性能を改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ハードおよびソフトスイッチング、SMPSトポロジで活用可能
『CoolMOS SJ MOSFET』の利点をご紹介いたします。 ハードスイッチングでは、力率改善回路に使用可能。また、 ソフトスイッチングでは、ZVS位相シルトフルブリッジや LLCハーフブリッジに好適です。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
モーター駆動などのスイッチング素子として利用！大電流の高速のスイッチに好適
『MOSFET』(モスフェット)とは、電界効果トランジスタ(FET)に 金属酸化膜半導体(MOS)を組み合わせたトランジスタです。 ゲート・ソース間の印加電圧によってスイッチング制御を 行うことが可能。 モーター駆動などのスイッチング素子として利用されることが多く、 特に大電流を高速にスイッチするのに適しています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル MOSFET 2SK2009(F) ■Toshiba Nチャンネル MOSFET 2SK4017(Q) ■Toshiba Nチャンネル MOSFET SSM3K7002FU(F) ■onsemi Nチャンネル MOSFET BS170 ■onsemi Nチャンネル MOSFET 2N7000 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
シングルパワーMOSFETシリーズは、低入力容量、低電圧駆動、低ON抵抗という特性を備えた大電流MOSFETです。 シングルNチャンネルのELM43400CB は低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 保護回路によってESDに耐性がある製品もあります。弊社HPをご確認ください。 ※43400CBの詳しくはカタログをご覧いただくか、またはお気軽にお問い合わせ下さい。
60-V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD18541F5』
54mΩ、60V Nチャネル FemtoFET MOSFETテクノロジ『CSD18541F5』は、 スペースに制約のある多くの産業用ロードスイッチ・アプリケーションで、 フットプリントを最小限にするよう設計され、最適化されています。 標準の小信号MOSFETをこのテクノロジに置き換えることで、 フットプリントサイズを大幅に低減できます。 【特長】 ■低オン抵抗 ■きわめて低いQgおよびQgd ■超小型フットプリント：1.53mm×0.77mm ■低プロファイル：高さ0.35mm ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。
デバイスの過渡熱抵抗など図を用いて解説！適当なパラメータを持つMOSFETを例にして計算を行います
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 当レポートは、しるとくレポNo.52でお話ししたMOSFETのアバランシェ 耐量試験の続きとなります。 デバイスの過渡熱抵抗やアバランシェ動作時の損失と時間の関係について 図やグラフを用いて解説。 デバイス選定の際に、異なる条件で測定されたデバイスを比較しても あまり意味はありません。データシート値のみを参考にするだけではなく、 できるだけ実動作に近い環境で実測することをお勧めします。 【掲載内容】 ■デバイスの過渡熱抵抗 ■アバランシェ動作時の損失と時間の関係 ■Tjと時間のグラフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
一部機能のみを抜き出して意図した動作をするか確認！簡単な事例をご紹介します。
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ WTIではお客様のご要望に合わせて設計開発を行っておりますが、今回は 原理検証についてお話しします。 ここでの原理検証とは本格的な製品設計を開始する前に基本動作や特性の確認を 行うことを指しています。 新規開発のご依頼があった際に、技術的課題があると思われる場合には、 原理検証から始められることをご提案することもあります。 【掲載内容】 ■原理検証について ■「突入電流防止用のMOSFETが意図通りに機能するか」の確認 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
JSCJ社の各種MOSFETをご紹介！
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 国内では生産が終了してしまった、ダイオードやトランジスタ等もご用意が可能です！ サンプル対応も承っておりますので、お気軽にお問い合わせください。 【MOSFETのラインアップ】 ■各種MOSFET ┗トレンチ型 ┗プレーナ型 ┗SGT ┗スーパージャンクション ┗異種複合トランジスタ 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品をお探しの方、お気軽にお問合せください。
航空・防衛機器向け高信頼性MOSFETs（Hermetic MOSFETs）と耐放射線性を有する宇宙機器向けMOSFETs
ご用途やご要求仕様に応じ、防衛・航空機器向け及び宇宙機器向けの多種多様なパッケージタイプでDiscrete製品を取り揃えております。 R9シリーズの特長 Super Junction Technologyを採用したR9シリーズをリリース ■性能指標 FoM (オン抵抗RDSON × 電荷Qg）の大幅な改善 ■シングルイベントエフェクト（SEE）耐性の向上 ■パッケージは、表面実装（SMD-0.2、 SMD-0.5、 SMD-2)、 スルーホール（TO-254、 TO-257）の他、SupIR SMD-2にも対応 ※比較 【従来品】 【R9シリーズ】 ■RDS(ON)＝30（ｍΩ） ■RDS(ON)＝18（ｍΩ） ■Qg＝45（ｎC） ■Qg＝45（ｎC） ■ID＝22(A) ■ID＝40(A） ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせください。
