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車載から通信機器まで、パワー半導体ならCystech
【会社概要】 Cystech Electronics Corp.は、2002年に台湾で創業されたパワー半導体専門メーカーです。MOSFET、トランジスタ、ダイオード、ICを中心とした製品展開を行い、ISO9001・ISO14001・ISO45001などの認証を取得。台湾証券取引所に上場し、グローバル市場に向けた高信頼・高性能の製品を提供しています。 【主要製品】 MOSFET（低電圧～高電圧、ハイスピードタイプまで） トランジスタ（バイポーラ、デジタル） ダイオード（スイッチング、ツェナー、ショットキー） 【強み・信頼性】 台湾、日本、中国に製造・組立の生産ネットワークを確立 厳格な品質保証システムと信頼性評価体制を整備 顧客フィードバックを活かした継続的な改善プロセス
【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
シングルパワーMOSFETシリーズは、低入力容量、低電圧駆動、低ON抵抗という特性を備えた大電流MOSFETです。 シングルPチャンネルのELM43401CA は低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 保護回路によってESDに耐性がある製品もあります。弊社HPをご確認ください。 ※43401CAの詳しくはカタログをご覧いただくか、またはお気軽にお問い合わせ下さい。
【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
シングルパワーMOSFETシリーズは、低入力容量、低電圧駆動、低ON抵抗という特性を備えた大電流MOSFETです。 シングルNチャンネルのELM43400CB は低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 保護回路によってESDに耐性がある製品もあります。弊社HPをご確認ください。 ※43400CBの詳しくはカタログをご覧いただくか、またはお気軽にお問い合わせ下さい。
デバイスの過渡熱抵抗など図を用いて解説！適当なパラメータを持つMOSFETを例にして計算を行います
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 当レポートは、しるとくレポNo.52でお話ししたMOSFETのアバランシェ 耐量試験の続きとなります。 デバイスの過渡熱抵抗やアバランシェ動作時の損失と時間の関係について 図やグラフを用いて解説。 デバイス選定の際に、異なる条件で測定されたデバイスを比較しても あまり意味はありません。データシート値のみを参考にするだけではなく、 できるだけ実動作に近い環境で実測することをお勧めします。 【掲載内容】 ■デバイスの過渡熱抵抗 ■アバランシェ動作時の損失と時間の関係 ■Tjと時間のグラフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
