SIMS分析｜PCOR-SIMS（高精度・二次イオン質量分析法）
試料マトリクス変化に対し、感度係数とスパッタリングレートを全深さで補正し、高精度・深さ方向プロファイル分析
PCOR-SIMS（Point by point Corrected SIMS）はSIMSをベースに、EAG Laboratoriesが長年の経験とノウハウから独自開発した分析手法です。試料のマトリクスの変化に対して感度係数とスパッタリングレートを深さ方向全てのポイントに対して補正し、精度の高い深さ方向プロファイルを得ることが可能な高度なEnhanced SIMS技術です。PCOR-SIMSは化合物半導体の微量元素・組成評価、Shallow B、As、P等の極浅イオン注入（ULE）分布評価などに有効です。
- 企業：受託分析｜ユーロフィンEAG株式会社
- 価格：応相談
