試料マトリクス変化に対し、感度係数とスパッタリングレートを全深さで補正し、高精度・深さ方向プロファイル分析
PCOR-SIMS（Point by point Corrected SIMS）はSIMSをベースに、EAG Laboratoriesが長年の経験とノウハウから独自開発した分析手法です。試料のマトリクスの変化に対して感度係数とスパッタリングレートを深さ方向全てのポイントに対して補正し、精度の高い深さ方向プロファイルを得ることが可能な高度なEnhanced SIMS技術です。PCOR-SIMSは化合物半導体の微量元素・組成評価、Shallow B、As、P等の極浅イオン注入（ULE）分布評価などに有効です。
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基本情報
・化合物半導体中のドーパント濃度深さ方向分析 ・化合物半導体中のエピタキシャル層の膜厚分析 ・Si基板中の極低エネルギーイオン注入分布評価
価格帯
納期
用途／実績例
・化合物半導体AlGaAsの評価（VCSEL LASER深さ方向組成、不純物濃度分析） ・テへテロバイポーラトランジスタ（HBT）の分析 ・Si基板へのBの極浅注入分布評価
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企業情報
材料分析でお困りの方、お気軽にEAGまでご相談ください！ ●高品質分析 ●短納期 ●迅速対応 ユーロフィンEAG（略称：EAG）は、40年以上にわたり半導体産業、高純度金属、先端・ナノ材料分野で材料分析サービスを提供してまいりました。半導体デバイス・製造装置のプロセス開発、研究開発、品質保証に不可欠なSIMS分析（二次イオン質量分析法）やTEM/STEM分析（透過型電子顕微鏡分析）、そして高純度材料の不純物分析に用いるGDMS分析（グロー放電質量分析法）においては、長年の技術蓄積と迅速な納期対応でお客様のニーズにお応えします。