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太陽電池セル製造工程中のWaferをフォトルミネセンスで評価できます。
PVX1000+POPLI-Octaは、太陽電池セル製造工程中のWaferをフォトルミネセンスで評価できます。熱拡散後のPN接合層や、AR層成膜のパッシベーション効果や表面汚染、更には裏面絶縁層の保護効果、Local-BSFの評価などが可能です。 また、直流電源を用いたモジュールのEL観測により欠陥箇所の位置特定が可能です。モジュールに逆バイアスを印加しLEAK点を観測することによりPID発症している欠陥箇所を簡便に特定します。
太陽電池セル製造工程中のWaferの微細な構造を顕微PL観測
PVX1000+POPLI-μは、太陽電池セル製造工程中のWaferの微細な構造を顕微鏡でフォトルミネセンス観測ができます。PERCであれば、PL強度で個々のLocal-BSFの評価、レーザーコンタクトホール周辺のパッシベーション層のダメージが評価可能です。 また、直流電源を用いたモジュールのEL観測により欠陥箇所の位置特定が可能です。
太陽電池セル製造工程中のWaferの微細な構造を顕微PL観測
PVX1000+POPLI-μは、太陽電池セル製造工程中のWaferの微細な構造を顕微鏡でフォトルミネセンス観測ができます。PERCであれば、PL強度で個々のLocal-BSFの評価、レーザーコンタクトホール周辺のパッシベーション層のダメージが評価可能です。 また、直流電源を用いたモジュールのEL観測により欠陥箇所の位置特定が可能です。
太陽電池セル製造工程中のWaferをフォトルミネセンスで評価できます。
PVX1000+POPLI-Octaは、太陽電池セル製造工程中のWaferをフォトルミネセンスで評価できます。熱拡散後のPN接合層や、AR層成膜のパッシベーション効果や表面汚染、更には裏面絶縁層の保護効果、Local-BSFの評価などが可能です。 また、直流電源を用いたモジュールのEL観測により欠陥箇所の位置特定が可能です。モジュールに逆バイアスを印加しLEAK点を観測することによりPID発症している欠陥箇所を簡便に特定します。
