SiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)
小さなオン抵抗！発光ダイオードの基板としても使用されています。
株式会社新陽の主要製品である『SiC(炭化ケイ素 シリコンカーバイド)』 のご紹介です。 シリコンに比べてバンドギャップが約3倍（3.26eV）広く、熱伝導率も 3倍以上（4.9W/cm･k）、絶縁破壊電圧は約10倍（2.8MV/cm）という特性を持ち、 Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。 パワーMOSFET IGBT，ショットキー・バリア・ダイオード（SBD）等に好適。 半導体の他、発光ダイオード（LED)の基板としても使用されております。 【特長（SiCパワー半導体素子）】 ■小さなオン抵抗 ■短いスイッチング時間 ■高温動作 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社新陽
- 価格：応相談
