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加熱条件の違いによるイミド化の進行度合いをXPSで評価できます
ポリイミドは非常に高い耐熱性を有し、また電気絶縁性・機械特性にも優れていることから、電子部品のみならず精密機械・自動車・航空等の広い分野において必要不可欠な材料です。その信頼性評価にお いて、イミド結合に関する調査は重要です。本資料では、加熱前後のポリイミドについてXPS測定を行った例をご紹介します。O量の変化及びC、N、Oのケミカルシフトより、加熱後にイミド化が進行していることが確認されました。また波形解析を行うことで、ポリイミドの存在割合を求めることも可能です。
XPSを使用して簡易的に測定することが可能！酸化物系以外の半導体もお問合せください
アイテスでは、『XPSによるバンドギャップの簡易測定』を行っています。 半導体や絶縁物の中で、比較的バンドギャップが広い物質や薄膜の バンドギャップを、XPSを使用して簡易的に測定することが可能。 β-Ga2O3のバンドギャップをO1sのピークを使用して測定を行った際は、 O1sのピーク位置とバンドギャップによるエネルギー損失の端部との差より このβ-Ga2O3のバンドギャップは、約4.9eVと測定されました。 【特長】 ■XPSを使用して簡易的に測定できる ■バンドギャップの広いSiON等の薄膜の簡易測定も可能 ■酸化物系以外の半導体も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
