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GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケーションに応用頂けるアニール炉です。ユニテンプジャパン製
『RTP-150』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（水素＋窒素）パージの他、 高濃度水素ガスパージにも対応 ■上下24本のIR (赤外）ヒーターで、正確な高速加熱が可能 ■高純度石英チャンバー ■窒素ガスパージ方式による降温に対応 ■プロセスガス最大4系統(MFC) ■到達真空度10-1Pa (TMP搭載のHVモデルなら10-3Paも可能） ■タッチパネル方式モニター標準装備で、オペレーションが簡単 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケーションに応用頂けるアニール炉です【テスト可】
『VPO-1300』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 Φ12インチ・Φ6インチ・4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルの プロセスも可能。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。GaNやSiCなどの 新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（水素＋窒素）パージの他、 高濃度水素ガスパージにも対応 ■上下24本のIR (赤外）ヒーターで、正確な高速加熱が可能 ■高純度石英チャンバー ■窒素ガスパージ方式による降温に対応 ■プロセスガス最大4系統(MFC) ■到達真空度0.1Pa (TMP搭載のHVモデルなら10-3Paも可能） ■タッチパネル方式モニター標準装備で、オペレーションが簡単 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケーションに応用頂けるアニール炉です。ユニテンプジャパン製
『RTP-100』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 Φ4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルのプロセスも可能です。 最大到達温度1200℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（水素＋窒素）パージの他、 高濃度水素ガスパージにも対応 ■上下18本のIR (赤外）ヒーターで、正確な高速加熱が可能 ■高純度石英チャンバー ■窒素ガスパージ方式による降温に対応 ■プロセスガス最大4系統(MFC) ■到達真空度10-1Pa (TMP搭載のHVモデルなら10-3Paも可能） ■タッチパネル方式モニター標準装備で、オペレーションが簡単 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
