1～3 件を表示 ／ 全 3 件
シャープエッジおよび反りのコントロールが可能なサブマウント
『CuWサブマウント』は、高出力LDモジュールのヒートシンク用途の サブマウントです。 LD接合時のアライメントおよび効率的な熱引きを実現するための シャープエッジおよび反りのコントロールが可能です。 またLD接合エリアへのAuSn蒸着において、余剰ハンダのコントロールも可能です。 【特長】 ■シャープエッジおよび反りのコントロールが可能 ■余剰ハンダのコントロールが可能 ■高出力半導体レーザ向け ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高熱伝導率と絶縁性を両立！高出力半導体レーザ向けのサブマウント
『Cu-AlN-Cuサブマウント』は、高出力半導体レーザ向けのサブマウントです。 Cu-AlN-Cuの3層構造により、高熱伝導率と絶縁性を両立しています。 また、熱膨張率においても、Cuめっき部の厚みを最適値にコントロール することにより、LD素子とのCTEマッチングが可能で高出力化、長寿命化を 可能とします。 なお、形状においても、自由度の高い設計が可能です。 【特長】 ■CuめっきとAlNの複合構成により高熱拡散性と絶縁性を確保 ■熱膨張係数(CTE)をコントロール ■LD搭載面クリティカルエッジ部のプルバックが不要 ■AuSn・AuGeはんだ蒸着対応が可能 ■シャープエッジによりLDのアライメント性を向上 ■Cuの厚付け可能 （＜100μm） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
AlNセラミックス基板と銅75μm厚付けの組み合わせによる圧倒的な放熱性が、高出力をサポートする。
高熱伝導を特長とするAlN基板と、銅75μm厚付けの組み合わせにより、放熱性が向上。 弊社のAlN基板は、熱伝導率170／200 [W/m・K] からお選びいただけます。 ハイパワーレーザー用サブマウント、高出力デバイス用サブマウントとして、採用をご検討ください。 圧倒的な放熱性で熱問題を解決いたします。
