高熱伝導率と絶縁性を両立！高出力半導体レーザ向けのサブマウント
『Cu-AlN-Cuサブマウント』は、高出力半導体レーザ向けのサブマウントです。 Cu-AlN-Cuの3層構造により、高熱伝導率と絶縁性を両立しています。 また、熱膨張率においても、Cuめっき部の厚みを最適値にコントロール することにより、LD素子とのCTEマッチングが可能で高出力化、長寿命化を 可能とします。 なお、形状においても、自由度の高い設計が可能です。 【特長】 ■CuめっきとAlNの複合構成により高熱拡散性と絶縁性を確保 ■熱膨張係数(CTE)をコントロール ■LD搭載面クリティカルエッジ部のプルバックが不要 ■AuSn・AuGeはんだ蒸着対応が可能 ■シャープエッジによりLDのアライメント性を向上 ■Cuの厚付け可能 （＜100μm） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【特性】 ■材料特性：絶縁性 ■熱伝導率(W/m･K)：190～250※ ■熱膨張率(ppm)：6 ～10※ ■電気抵抗率(Ω･m)： - ■最大使用電圧(V)：<200 ■比誘電率(@1MHz)：9 ■誘電体損失(Tanδ)：5×10-4 ※設計によりコントロールが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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用途／実績例
【用途】 ■高出力半導体レーザ向けサブマウント ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
切る、削る、磨く、メタライズ、接合の5つの最先端技術をクロスさせた 複合加工技術（クロスエッジ 微細加工）により、品質／コスト／量産性を考え、 お客様のご要求に最もマッチしたものを提案して参ります。