クロスエッジ微細加工 Cu-AlN-Cuサブマウント
高熱伝導率と絶縁性を両立！高出力半導体レーザ向けのサブマウント
『Cu-AlN-Cuサブマウント』は、高出力半導体レーザ向けのサブマウントです。 Cu-AlN-Cuの3層構造により、高熱伝導率と絶縁性を両立しています。 また、熱膨張率においても、Cuめっき部の厚みを最適値にコントロール することにより、LD素子とのCTEマッチングが可能で高出力化、長寿命化を 可能とします。 なお、形状においても、自由度の高い設計が可能です。 【特長】 ■CuめっきとAlNの複合構成により高熱拡散性と絶縁性を確保 ■熱膨張係数(CTE)をコントロール ■LD搭載面クリティカルエッジ部のプルバックが不要 ■AuSn・AuGeはんだ蒸着対応が可能 ■シャープエッジによりLDのアライメント性を向上 ■Cuの厚付け可能 （＜100μm） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社テクニスコ
- 価格：応相談
