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プラズマ解析領域全体におけるイオンのエネルギー分布、角度分布等を計算！
『イオンモンテカルロ・シミュレーション・モジュール（IMCSM）』は、 プラズマ解析領域全体にわたり、イオンのエネルギー分布、また境界セル での入射エネルギー／角度分布を計算します。 現在のPHMは、装置内のプラズマ分布等を計算しますが、計算モデル上、 イオンのエネルギーは一様としています。しかし、基板／ターゲット表面の イオンエネルギーを求めたい場合が多いと考えられます。 当製品は、PHMの計算結果（空間分布物理量）を用いて、プラズマ解析領域 全体、および基板／ターゲット表面のイオンエネルギー分布等を計算します。 【特長】 ■PHMの計算結果（空間分布物理量）を用いる ■プラズマ解析領域全体、および基板／ターゲット表面の イオンエネルギー分布等を計算する ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
イオン注入、あるいはスパッタリング現象そのものに関する計算を行うことが可能！
『動的モンテカルロシミュレーションソフトウェア（SASAMAL）』は、 2体衝突近似に基づくモンテカルロ法によるシミュレーションコードです。 アモルファスターゲットに高エネルギーのイオンが入射した際の スパッタリング率、スパッタリング原子の放出角度分布・エネルギー分布、 入射粒子の後方散乱する割合・角度分布・エネルギー分布、イオンの ターゲットへの侵入深さ（Depth Profile）を計算。 各種材料のスパッタリング率の、イオンの入射エネルギー依存性や 入射角度依存性の評価、イオン注入による材料の表面改質プロセスの 評価などに利用できます。 【特長】 ■当製品単体のみを用いた場合でも、イオン注入、あるいはスパッタリング 現象そのものに関する計算を行うことが可能 ■PIC-MCCMやDSMCM と組み合わせて用いた場合、広い範囲の装置パラメータの 影響を調べることも可能 ■装置のガス圧とスパッタリング率の関係なども評価することができる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
圧縮性と粘性を考慮した流れの計算が可能！ガス成分の種類ごとに密度と流量の空間分布が求まります
『中性粒子連続体モジュール（NMEM）』は、複数種の原子・分子 （電荷を持たない粒子）からなる混合気体の流れ場を計算します。 中性粒子種各成分の拡散を考慮した流体の基礎方程式を解くことにより、 各成分の流量と密度を計算。 この基礎方程式は気体を連続体とみなしたもののため、Kn（クヌーセン数； 流れの希薄度を評価する無次元数Kn＝平均自由行程長／流れの代表長さ）が およそKn<0.01の場合に対して適用できます。 【特長】 ■ガス成分の種類ごとに密度と流量（フラックス）の空間分布が求まる ■圧縮性と粘性を考慮した流れの計算ができる ■プラズマとカップリングした計算が可能（PHMまたはPIC-MCCMとのカップリング） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
PVD、プラズマCVD、そしてエッチングなどどのような反応にも対応可能です！
『表面形状・シミュレーション・モジュール（FPSM2D）』は、 粒子モンテカルロ法により、基板表面での様々な反応を考慮し、 基板、堆積膜の経時変化を計算するモジュールです。 PVD、プラズマCVD、そしてエッチングなどどのような反応にも対応可能。 入射粒子情報（粒子フラックス、入射エネルギー・角度分布）はPEGASUS 気相モジュール、PEGASUS表面科学系モジュールからの出力を使用するか、 もしくは当製品が備えている入力方法で使用者が指定します。 【特長】 ■粒子モンテカルロ法を用い、セル法により固体層占有率、表面被覆率を 考慮し形状を表現 ■セル法特有のシャープな境界面は用いず、固体層占有率による勾配から 入射角を決定し、入射角依存の鏡面反射確率、反応確率に適用 ■ガス種、反応式、錯体、ポリマーなどの数に制限はない ■2次元直交メッシュで定義されるが、初期形状は任意形状で与えることが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
