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太陽光発電システム向けソリューション等に好適！パワー密度の向上が可能
『IPW65R018CFD7』は、TO-247パッケージに高速ボディダイオードを搭載した、 650V CoolMOS CFD7スーパージャンクションMOSFETファミリの製品です。 転流本格使用に備えた優れた堅牢性を有し、産業用SMPSアプリケーションに おける全負荷効率を向上。 サーバー、テレコム、EV充電ステーションなどの産業用アプリケーションの 共振トポロジーに好適で、大幅な効率向上を実現しています。 【特長】 ■超高速ボディダイオード＆超低Qrr ■650V絶縁破壊電圧 ■スイッチングロスを大幅に削減 ■RDS（on）の温度依存性が低い ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高耐圧600V以上のパワー MOSFET！低オン抵抗・超低ゲート電荷量を特長とするMEMS技術のデバイスです。
『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧の スーパージャンクション技術が使われている当社のパワーMOSFETです。 シリコンのMOSFETとMEMSプロセス技術の融合で、 世界的ベストインクラスのパフォーマンスをお届けします。 MEMS技術で独自の製造技術を発展させ、 より小寸法へ展開することで、高パフォーマンスでコストメリットのある MOSFETをご提供いたします。 【特長】 ■高耐圧600V以上 ■耐高dv/dt ■高耐アバランシェ特性 ■高ピーク電流特性 ■増相互コンダクタンス特性 など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
アバランシェ耐性の強いMEMSベースのSuper Junction MOSFET
弊社GEN1シリーズのMOSFETは2011年よりリリースし、音響、産業用や医療用電源など様々な分野で使われております。
