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QDレーザ取扱製品総合カタログ。通信・産業用高機能半導体レーザ及びウェハを掲載
『株式会社QDレーザ 取扱い製品 総合カタログ』は、GaAs基板をプラットフォームとする 高性能・高品質半導体レーザ・ウェハを提供するQDレーザの製品を掲載したカタログです。 量子ドット・量子井戸技術を採用し、優れた結晶成長・グレーティング形成・素子設計技術により 通信・産業用半導体レーザおよびウェハ製品を提供しております。 【掲載製品】 ○532-594nm 小型可視光レーザ ○640-940nm 高光出力FPレーザ ○1030-1180 & 1550nm DFB レーザ ○1240-1300nm 量子ドットレーザ ○GaAs基板上エピウェハ 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
100-200℃以上の高温動作可能！プラント、地下資源探査等やSiフォトニクス用光源として最適
『QLF133x/QLD133x シリーズ』は、量子ドット技術をベースとした GaAs上1300nm半導体レーザです。 150-200℃の超高温下でも動作可能で、プラント、地下資源探査等の 特殊用途にも対応可能。また、量子ドットレーザは高温度での安定した特性、 反射戻り光耐性に優れ、Siフォトニクス用光源として最適です。 データ通信用として既にお客様に360万台の出荷実績があります。 【特長】 ■量子ドット ■FP/DFBレーザ ■波長1240-1310nm ■高温動作可能（100-200 ℃以上） ■優れた温度安定性 ■優れた反射戻り光耐性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※こちらのPDF資料は英語版です。
アイソレータ不要で装置の小型化・低コスト化に貢献！エピウエハのカスタム試作から量産まで一貫したサポート
シリコンフォトニクスに適した1300 nm帯量子ドットレーザです。 最高200℃での安定動作。光電子集積回路の高密度実装化に貢献します。 優れた戻り光耐性でアイソレータ不要のため、装置の小型・低コスト化に好適です。 【特長】 ■最高200℃での安定動作、レーザアレイによる高密度化可能 ■優れた戻り光耐性（量子ドット<-130dB/Hz・量子井戸<-120dB/Hz at -30dB） ■高温環境での高い信頼性（推定寿命>30万時間at 85℃） ■用途に応じた広帯域利得スペクトルへのカスタマイズ可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
優れた量子ドットレーザを実現する高密度量子ドットの結晶成長条件を見出し、実用化に成功
当社の量子ドットは、 分子線エピタキシー（MBE：Molecular Beam Epitaxy）法を用いて作製しています。 MBE法とは超高真空に保たれた成長室において、 るつぼから材料となる元素を蒸発させることで、 基板上に結晶を成長させる手法です。 長年にわたる研究開発の積み重ねのなかで結晶成長物理への理解を深めることで、 結晶成長レートや基板温度等の様々な成長条件の組み合わせから、 優れた量子ドットレーザを実現する高密度量子ドットの結晶成長条件を見出し、 実用化に成功しました。 【特長】 ■高温環境での安定動作と高い信頼性 ■優れた戻り光耐性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
温度による出力変動が小さい特長を持っており、様々な分野への展開が可能！カスタム製造も承ります
当製品は、GaAs基板を使った『量子ドットレーザー』です。 温度による出力変動が小さい特長を持っており、様々な分野への展開が可能。 また、MBE装置を使った化合物半導体ウエハや量子ドットウエハの作製を 承ります。カスタム製造も承りますので、ご相談ください。 【ウエハ製作概要】 ■ウエハ径：2インチ ■使用可能元素：Ga、In、Al、As、Sb、Si（n型ドーパンド）、Be（p型ドーパンド） ■構造例：ダブルヘテロ構造の量子ドット、他 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
