優れた量子ドットレーザを実現する高密度量子ドットの結晶成長条件を見出し、実用化に成功
当社の量子ドットは、 分子線エピタキシー（MBE：Molecular Beam Epitaxy）法を用いて作製しています。 MBE法とは超高真空に保たれた成長室において、 るつぼから材料となる元素を蒸発させることで、 基板上に結晶を成長させる手法です。 長年にわたる研究開発の積み重ねのなかで結晶成長物理への理解を深めることで、 結晶成長レートや基板温度等の様々な成長条件の組み合わせから、 優れた量子ドットレーザを実現する高密度量子ドットの結晶成長条件を見出し、 実用化に成功しました。 【特長】 ■高温環境での安定動作と高い信頼性 ■優れた戻り光耐性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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【アプリケーション例】 ■光インターコネクト ■LiDAR ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
株式会社QDレーザのレーザデバイス事業部では、GaAs基板をプラットフォームとする通信・産業用の高機能半導体レーザやエピタキシャルウエハを製造・販売しています。 独自の半導体結晶成長技術とグレーティング形成技術をコア技術とし、ウエハ、レーザ素子、モジュール設計技術により、波長532nmから660nm, 1064nm, 1310nmの高性能・高品質な半導体レーザを製品化しております。 お客様のニーズに合わせた高付加価値製品を提供してまいります。