バッチタイプＳＷＰアッシング装置
ダメージレス、ハイレート、大面積対応、イオンダメージを完全除去、完全ラジカル処理を実現。高性能プラズマアッシング装置
表面波プラズマ（surface Wave excited plasma)による高密度プラズマをイオン遮蔽トラップにてイオンを完全にシールド。基板にラジカルのみを供給。 高密度ラジカルによるウェット同等のダメージレスアッシングを実現。 ハイレートとダメージレスアッシングを両立。コンパクトなバッチタイプで小型基板・化合物半導体・ＭＥＭＳデバイスに対応 ＭＥＭＳ製造プロセスの有機膜犠牲層除去に優れた効果を発揮。 ハイエンドＭＥＭＳデバイスに必須のレジストアッシング装置
- 企業：神港精機株式会社 東京支店
- 価格：応相談
