ダメージレス、ハイレート、大面積対応、イオンダメージを完全除去、完全ラジカル処理を実現。高性能プラズマアッシング装置
表面波プラズマ(surface Wave excited plasma)による高密度プラズマをイオン遮蔽トラップにてイオンを完全にシールド。基板にラジカルのみを供給。 高密度ラジカルによるウェット同等のダメージレスアッシングを実現。 ハイレートとダメージレスアッシングを両立。コンパクトなバッチタイプで小型基板・化合物半導体・MEMSデバイスに対応 MEMS製造プロセスの有機膜犠牲層除去に優れた効果を発揮。 ハイエンドMEMSデバイスに必須のレジストアッシング装置
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基本情報
φ300mmの処理ステージを装備。小型基板の一括処理に対応。 レジスト・ポリイミド等有機膜・有機物の除去にO2によるハイレートアッシング。 基板上の有機物除去以外に基板の酸化にも対応可能。 オプションにてH2ガスの使用により、半田の表面酸化膜の除去も可能。 ウェハ・基板のバンプ・パッドのの表面酸化膜除去・還元クリーニングに効果 オプションにて大型ステージ(400×500mm)対応可能
価格情報
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納期
用途/実績例
化合物半導体 レジストアッシング・ディスカム・成膜前クリーニング MEMSセンサー 有機膜犠牲層除去・ポリイミド除去 光モジュール 埋めこみレジスト除去
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神港精機は技術主導のメーカーとして、特に真空機器分野において蓄積した数々のノウハウを生かし、ユーザーニーズに沿った革新的な製品を送り出しています。 又、近年はエレクトロニクス・新素材などの最先端分野へ挑戦し特長ある技術の高度化と有機的結合により、真に価値のあるハードウェアとソフトウェアの開発を目指し取り組んでいます。