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プラズマスパッタ装置 - メーカー・企業と製品の一覧

プラズマスパッタ装置の製品一覧

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ユニフォームプラズマスパッタ装置

均一性プラズマ閉じ込めによる高品質スパッタリング

「ユニフォームプラズマスパッタ装置」はいわゆる対向ターゲットスパッタ方式を採用しています。従来の対向ターゲットスパッタ方式はミラー磁場をそのまま利用したものですが、ミラー磁場の特性を生かしつつスパッタリングすることを目的として改良されています。 ミラー磁場を利用したプラズマ閉じ込め方式をスパッタに利用するのはとても有効で、スパッタ利用のためにその形態を大きく変える必要がなくターゲットを2枚対向させることでそれらの間にプラズマが大変効率よく閉じこめられます。これに対しトロイダルコイルなどを利用したプラズマの閉じ込め方式ではトカマク型がありますがこれをスパッタに利用するには困難で、現状では通常トロイダルコイルを輪切りにしたような形態を利用しています。この場合ドリフトが発生しプラズマが十分に閉じ込められず容器内で広がってしまいます。 しかしながらミラー磁場というだけではスパッタに利用した場合ターゲット間でのプラズマ閉じ込めには有利ですが均一性は期待できません。 そこでプラズマ閉じ込めと均一性を両立させたのがユニフォームプラズマスパッタ装置です。

  • その他金属材料
  • 有機EL

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東北大学技術:高密度プラズマスパッタリング装置:T16-141

基板ダメージが少ない/イオン量とエネルギーを独立制御/磁性体ターゲットに使用可能

デバイスの微細化の進展または薄膜結晶の高品質化の要求が高まるにつれて、スパッタリングにおいて基板へのイオンダメージが大きな問題となっている。従来広く利用されているマグネトロンスパッタ法では、ターゲット材と基板の間に直接プラズマを形成するため、「1 イオンダメージの回避が困難」であり、高密度プラズマ生成時にはこの問題が顕著化してしまう。またプラズマ生成のための放電とイオン引き込みを同一の電源で同時に行うため、「2 ターゲット材へ流入するイオン量とそのエネルギーを独立に制御することが不可能」であること。ターゲット表面に存在する漏れ磁束でプラズマ閉じ込めを行うため、「3 磁性体ターゲットにおいては使用が困難である」ことなどの課題も存在する。 本発明は、ヘリコン放電による高密度プラズマ生成や、湾曲磁場によるプラズマ形状制御等により、上記1~3の課題を解決するものであり、それと同時にターゲット材の昇温機構を兼ねることや、大口径基板への均一成膜、高速成膜も検討し得る。

  • その他

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