均一性プラズマ閉じ込めによる高品質スパッタリング
「ユニフォームプラズマスパッタ装置」はいわゆる対向ターゲットスパッタ方式を採用しています。従来の対向ターゲットスパッタ方式はミラー磁場をそのまま利用したものですが、ミラー磁場の特性を生かしつつスパッタリングすることを目的として改良されています。 ミラー磁場を利用したプラズマ閉じ込め方式をスパッタに利用するのはとても有効で、スパッタ利用のためにその形態を大きく変える必要がなくターゲットを2枚対向させることでそれらの間にプラズマが大変効率よく閉じこめられます。これに対しトロイダルコイルなどを利用したプラズマの閉じ込め方式ではトカマク型がありますがこれをスパッタに利用するには困難で、現状では通常トロイダルコイルを輪切りにしたような形態を利用しています。この場合ドリフトが発生しプラズマが十分に閉じ込められず容器内で広がってしまいます。 しかしながらミラー磁場というだけではスパッタに利用した場合ターゲット間でのプラズマ閉じ込めには有利ですが均一性は期待できません。 そこでプラズマ閉じ込めと均一性を両立させたのがユニフォームプラズマスパッタ装置です。
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基本情報
【特長】 ●均一なプラズマ分布 ●独立したプラズマ室 ●基板温度100℃以下の低温スパッタ(SiO2，2KW，1時間) ●基板へのプラズマ衝撃フリーにより緻密な膜の形成・組成ずれのない合金膜 ●CVDのような特殊なガスを使わず、ターゲット間を電子が高速で往復することでスパッタ粒子(ターゲット材)を活性種化。それにより効率的に反応性スパッタ膜が形成されます。 ●テストスパッタはご相談ください。 ●その他機能や詳細については、お問い合わせください。
価格情報
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納期
用途／実績例
●有機EL用導電膜・保護膜 ●反射防止膜 ●透明導電膜 ●合金膜（超伝導薄膜・太陽電池薄膜など) ●熱に弱い基材への成膜 ●成膜コストの削減 ○その他詳細については、お問い合わせください。
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企業情報
次世代技術において薄膜作製の必要性はますます増えてまいります。薄膜作製においては低温下で、かつ緻密な、またそうであって生産性も高い、そんな技術が求められています。弊社は従来の対向ターゲット式スパッタ方式ではなしえなかったアーク放電対策を可能にし、上記の条件を満たすユニフォームプラズマスパッタ装置を製作販売しております。