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D-SIMSを用いてゲート酸化膜上層側からの不純物拡散を捉えることに成功！
GaNデバイスにおいて、ゲート酸化膜の前工程由来成分(不純物)の拡散は、 絶縁性不良の原因につながるため、その濃度分布や拡散源の特定が必要となります。 今回当社にて、薄膜加工したGaN化合物の表面に高い平坦性をもたせる技術を 開発しました。 それによりD-SIMSを用いてゲート酸化膜上層側からの不純物拡散を捉えることに 成功しました。 ※記事の詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
裏面研磨技術を用いたXPS分析(Backside XPS)についてご紹介！
当社で行う「ゲート電極/酸化膜界面の不純物分析」についてご紹介します。 ゲート電極/ゲート絶縁膜界面の不純物の分布や結合状態などを調べるためには 1nm以下の深さ方向分解能が必要。このような場合、裏面(ゲート絶縁膜側) からの測定を行うことで、より信頼性の高い解析が可能になります。 XPSの検出深さは数nm以下と浅いので、Si基板部分を裏面から研磨やウェット エッチングにより除去してXPS測定を行います。 【得られる情報】 ■ゲート電極/ゲート酸化膜界面近傍の不純物の分布・結合状態 ■ゲート電極/ゲート酸化膜界面近傍の組成変化 ■バンドアライメントなど ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
