ツェナーダイオード内蔵型MOSFET『INKEシリーズ』
ツェナー内蔵によるサージ耐量UPと安定した高いアバランシェ耐量実現！
『INKEシリーズ』は、ドレイン・ソース間にツェナーダイオードが 接続(内蔵)されており、モーターやソレノイドドライブ時の 逆起電力からMOSFETを保護するツェナーダイオード内蔵型MOSFETです。 内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵する事で、 過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護。 ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 しており、逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要となります。 【特長】 ■内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵 ■過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護 ■ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 ■逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：イサハヤ電子株式会社
- 価格：応相談
