【分析事例】結晶Si太陽電池のキャリア分布評価
表面凹凸のあるサンプルでのキャリア拡散層の均一性評価
BSF型結晶Si太陽電池について、表面側テクスチャ部および裏面側BSF部のキャリア拡散層分布をSCMにて評価した事例を紹介いたします。テクスチャ部では表面凹凸に沿ってpn接合が形成されているのに対し、BSF部ではキャリア分布に途切れがあり不均一であることが確認できます。
- 企業:一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格:応相談
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表面凹凸のあるサンプルでのキャリア拡散層の均一性評価
BSF型結晶Si太陽電池について、表面側テクスチャ部および裏面側BSF部のキャリア拡散層分布をSCMにて評価した事例を紹介いたします。テクスチャ部では表面凹凸に沿ってpn接合が形成されているのに対し、BSF部ではキャリア分布に途切れがあり不均一であることが確認できます。
ドーパントの活性化率に関する評価が可能
SRA(Spreading Resistance Analysis)はサンプルを斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です(図1)。 キャリア濃度分布を評価することで、ドーパントの活性化状況についての知見を得ることが可能です。 一例として、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と外周部(図2)についてSRAを行った事例をご紹介します。
高分子フィルムの延伸時配向変化のその場観察に!面内分布として定量評価が可能です
応力負荷試験機である『ISL-T300』と、複屈折分布評価装置である 『WPA-200』の組み合わせについてご紹介します。 高分子フィルムの延伸による分子配向の変化は、複屈折を測定することで 光学的に評価できます。しかしながら、引張りながら同時に複屈折を、 しかも面分布情報として評価することは困難でした。 本提案の装置組み合わせなら、延伸過程での配向変化を面内分布として 定量評価が可能です。 【装置仕様】 <ISL-T300> ■最大荷重:300N ■移動距離:最大30mm ■試験速度:0.08~8mm/min ■チャック間隔:2~32mm ■試験片厚さ:1.5mm以下 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。