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分析×株式会社アイテス - メーカー・企業と製品の一覧

分析の製品一覧

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EBSD解析

結晶方位や結晶粒径の変化が解析可能!EBSD(電子線後方散乱回折)法をご紹介いたします

EBSD法とは、試料の持つ結晶構造の情報を基に連続的に取り込んだパターン の結晶方位を算出することにより、結晶粒の分布、集合組織や結晶相分布を 解析する手法です。 金属やセラミック等の結晶質のものは、立方体等の結晶格子が多数集まって 構成されていると考えられおり、当解析法では、それがどのような方向を 向いているのか(結晶方位)を解析。 IQマップ(イメージクオリティーマップ)をはじめ、IPFマップ、GRODマップ、 極点図など、様々なマップを使用します。 【特長】 ■EBSD法は、結晶粒の分布、集合組織や結晶相分布を解析する手法 ■(株)TSLソリューションズOIM7.0結晶方位解析装置を使用 ■結晶格子がどのような方向を向いているのか(結晶方位)を解析 ■加工条件(圧延、押出等)の違いによる結晶方位や結晶粒径の  変化が解析可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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化学反応機構研究所 フタル酸エステル1HNMR

似通った構造の化合物を区別して同定!プロトンの個数、構造の特長などの情報を得る事ができます

株式会社アイテスでは、フタル酸エステル類の1H NMR分析を行っております。 似通った構造の化合物を区別して同定するにはNMR分析やGCMS分析が有効です。 当分析では、積分値からプロトンの個数、ケミカルシフトから官能基など 構造の特長、またカップリングパターンやカップリング定数から周りの プロトンとの位置関係などの情報を得る事ができます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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有機物の分子構造を、もっとはっきりさせてみませんか?

NMR分析で類似分子構造の化合物を区別し、側鎖、置換基の結合位置や枝分かれ構造などを解明!

株式会社アイテスでは、フタル酸エステル類の1H NMR分析を行っております。 類似分子構造の化合物を区別し、側鎖、置換基の結合位置や 枝分かれ構造などの構造解明にNMR分析は有効な手法です。 有機合成、高分子合成において、狙った分子構造物を得られたのかの確認には 必須の分析で、 医薬品、サプリメント、食品、繊維など、その特性効果・効能は 分子団の置換基の場所や分子構造により左右されます。 もう一歩踏み込んだ有機分子構造解析を当社技能集団がご対応いたします。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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銅端子の断面観察とSEM/EDXによる元素分析

圧着端子の接合部状態や接合方法、部材の種類を調査!断面観察及びSEM/EDXによる元素分析のご紹介

『銅端子の断面観察とSEM/EDXによる元素分析』についてご紹介いたします。 抵抗測定用銅圧着端子治具の接合部について断面作製を実施し、作製した断面に ケミカルエッチングを施し、エッチング前後で金属組織を観察。 その結果、検出元素が、P(リン), Ag(銀), Cu(銅)であることから、銀入りの りん銅ロウ付け材であると推察します。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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発熱解析による電子部品の故障箇所特定

故障箇所特定から内部観察までを非破壊で実施する事が可能!高精度な発熱箇所の特定ができます

発熱解析は、電圧印加によってリーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで 検出する事で不良箇所を特定する手法です。 ショートやリークに伴う微弱な発熱を高感度InSbカメラで検出する事で 半導体等の電子部品の故障部を非破壊で特定する事が可能。 更にX線検査装置を用いる事で非破壊での観察もできます。 【特長】 ■リーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで検出する事で不良箇所を特定 ■サンプルを非破壊の状態で解析したり、OBIRCHやエミッションでは  解析が難しい電子部品を解析する事も可能 ■ロックイン機能を使用し、位相情報を取得する事で、高精度な発熱箇所の  特定が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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クロスビームFIBによる断面観察

FIB加工をリアルタイムで観察しながら断面観察が可能です。

半導体デバイス、MEMS、TFTなどナノスケールの精度で製造される エレクトロニクス製品の構造解析を行うための新たな手法: クロスビームFIBにより断面観察をご提案いたします。

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TMA(熱機械測定)

複数の測定モードで熱膨張、熱収縮、ガラス転移温度の情報が得られます!

『TMA(熱機械測定)』は、試料に一定の荷重をかけた状態で試料温度を 変化させ、試料の寸法変化を測定する手法です。 材料の熱膨張、熱収縮、ガラス転移温度などの情報が得られます。 また、温度範囲は-150~1000℃、サイズ最大はΦ10×25mm(圧縮モード、 針入れモード)、サイズ最大は0.7mm×5mm×20mm(引張モード)が 測定可能条件です。 本資料では半導体封止材のTMA分析事例を掲載しています。 【特長】 ■熱機械測定 ■試料に一定の荷重をかけ試料温度を変化させる ■試料の寸法変化を測定 ■熱膨張、熱収縮、ガラス転移温度などの情報が得られる ■複数の測定モード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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フレキシブル基板(FPC)のEBSD解析

屈曲部の配線に歪みが蓄積している個所などが分かる、EBSD解析をご紹介します!

フレキシブル基板(FPC)のEBSD解析をご紹介します。 可動部や折り曲げ機構がある製品に使用されるフレキシブル基板について、 屈曲部と固定部でCu配線に違いがあるかEBSDによる確認を実施。 その結果、光学像では屈曲部と固定部の配線に顕著な異常や差異は 確認できないが、EBSD解析では、屈曲部の配線に歪みが蓄積している個所や、 小傾角粒界が集中している個所が存在していることが分かりました。 【解析内容】 ■フレキシブル基板外観とCu配線光学像 ・フレキシブル基板外観 ・屈曲部の配線 ・固定部の配線 ■EBSDによる屈曲部と固定部のCu配線比較 ・屈曲部の配線 ・固定部の配線 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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EPMAによる状態分析

標準スペクトルと比較することで結合状態を推定!EPMAによる状態分析をご紹介

EPMAによる状態分析では、酸化物やケイ酸塩の化学結合状態(イオン価、 結晶構造、配位数)の異なりから、特性X線ピーク波長に変化(シフトや波形)が 生じることを利用し、標準スペクトルと比較することで結合状態を推定します。 2種類の銅酸化物の識別において、黒色CuOと赤色Cu2Oの色彩による識別が 困難な場合、特に電子顕微鏡が必要なミクロな対象物に対して、EPMAによる 酸化状態の把握が可能です。 また、Al表面の薄い酸化層の測定には最表面分析手法のXPSが有効ですが、 異物等の微小物や塊状物、バルク、複合材等に対して、EPMAによる酸化状態の 把握ができます。 【装置仕様】 ■日本電子(株)製 Jeol-8200 ■分析方式:波長分散型X線分析(WDX) ■分析可能元素:B~U ■エネルギー分解能:20eV(EDXは約130eV) ■検出限界:0.01%~ ■最大試料寸法:100x100mm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【資料】太陽電池モジュールの断面観察

破断部の断面観察や、破断部の元素マップなど掲載しています!

当資料は、太陽電池モジュールの断面観察についてご紹介しています。 冷熱衝撃試験を行なった太陽電池モジュールを検査し、異常が特定された 箇所の断面観察を行なったところ、インタコネクタ半田付け部が破断している ことが確認されました。 【掲載内容】 ■破断部の断面観察 ■破断部の元素マップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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素材の信頼性試験、および試験後の化学分析評価

素材分子構造変化をIR分析にて検証した事例をご紹介!多種多様なサンプルの設置も工夫してご対応

製品を構成する素材の、熱、湿気負荷による信頼性試験は必須ですが、 試験後の分析評価もまた、欠かすことのできないプロセスです。 恒温恒湿試験は、製品、素材などに温度と湿度の負荷をかけ、物性、特性、 外観などの変化有無、および寿命を確認する装置で、当社では、多種多様な サンプルの設置も工夫してご対応。 当資料では、恒温恒湿試験前後の素材分子構造変化をIR分析にて検証した 事例をご紹介します。ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■信頼性試験装置例(恒温恒湿試験装置) ■サンプル設置の工夫 ■化学分析による試験前後の比較評価 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【TOF-SIMSの事例】Liの分析

感度よく検出することが可能!TOF-SIMSとSEM-EDXでLiの分析を比較した事例をご紹介

TOF-SIMSとSEM-EDXでLiの分析を比較した事例をご紹介します。 汚染や異物の分析には、SEM-EDXが利用されていますが、 windowless EDXを除く一般的なEDXではLiの検出は困難です。 一方、TOF-SIMSはLiを感度よく検出することができます。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【概要】 ■銅板の染みの分析 ■SEM-EDX分析→Li検出困難 ■TOF-SIMS分析→Li検出可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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液晶中の微量金属元素分析

パネルサイズにより、ICP-AES/MS装置を使い分けて分析する事が可能です!

信頼性試験前後のパネルを用いてICP測定を行い、定量化を行った事例を ご紹介します。 LCDの液晶分子はパネル内で配向しており、電圧により液晶の配向状態が 変わる事で表示が制御されます。金属元素のようなイオン性物質がパネル 内部に存在すると液晶が正しく駆動せず表示不良が発生。 イオン性物質は、製造時の混入や長期使用で増加することが知られており、 定量化して把握する事がパネル品質として重要です。 金属イオンは、ICP分析を用いることで定量分析を行うことが可能であり、 前処理方法や検出感度の違いにより、ICP-AES/MSを使い分けて行います。 【解析内容】 ■ICP-AES分析による金属元素含有量の比較 ■ICP-MS分析による金属元素含有量の比較 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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XPSによる正極活物質の状態分析

リチウムイオン電池の材料評価に!X線光電子分光法で化学結合状態を解析

NMC試薬について、XPSの状態分析による金属酸化物の 価数の評価を行いました。 市販のNMC試薬について定性分析を実施し、試薬の仕様に近い NiMnCo比の値を得ています。 また、バインダー成分由来と考えられるFやCも検出されています。 【NMC試薬の分析(一部)】 ■Ni、Mn、Coの主要な酸化物はNiO(Ni2+)、MnO2(Mn4+)、  Co3O4(Co2+とCo3+の混合価数)と推測 ■C、O、Fは、バインダー由来と推測される有機系のピークシフトを確認 ■各ピークアサインは、各種文献、データベースを参考に推測 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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機械研磨によるCMOSイメージセンサ断面観察

一長一短な特長があるためサンプル形態や観察範囲、目的などに応じて選択する必要があります!

当社にて、A社製のVRゴーグルに付随のCMOSイメージセンサ部品について、 部品状態のまま機械研磨にて断面を作製し、CMOSセンサ部品の構造観察を 行いました。 センサ部品構造及びセンサ表面観察では、ガラスフィルタを取り除き CMOSセンサ表面を観察すると、カラーフィルタの配置がベイヤーフィルタと 言われる配置であることが観察されました。 断面作製方法には機械研磨の他、FIBやCPなどイオンビームで加工する方法や ミクロトーム法などがあります。相談は無料ですので、断面作製方法に 迷ったらお気軽にご連絡ください。 【概要】 ■センサ部品構造及びセンサ表面観察 ■機械研磨による断面作製 ■センサチップ表層のSEM観察 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他 分析・評価受託

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