スーパーCMC半導体用ヒートシンク
銅とモリブデンのクラッド材による高熱伝導、低熱膨張の半導体用ヒートシンク
当社では、独自開発した『S-CMC』を使用した半導体用ヒートシンクを ご提供しております。 『S-CMC』は、Mo箔とCu箔の多層フラット板で構成されており、 Mo粉末品よりも高熱伝導、低熱膨張に優れた低熱膨張のクラッド材です。 各種半導体分野への適用が可能ですが、4G/5G通信で用いられるGAN素子の ヒートシンクとして特に適しており、5G通信用の携帯電話基地局の デバイスの放熱原料として期待されます。 【S-CMCの特長】 ■日・米・中・欧にて特許取得済み、日・米・中にて商標登録を実施 ■Moの使用量は、目的により自由に選択可能で、ご希望の熱膨張率に対応可能 ■GaN要素を使用した衛星通信デバイスに10年以上の使用実績を有する ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問合せください。
- 企業：株式会社FJコンポジット
- 価格：応相談
