銅とモリブデンのクラッド材による高熱伝導、低熱膨張の半導体用ヒートシンク
当社では、独自開発した『S-CMC』を使用した半導体用ヒートシンクを ご提供しております。 『S-CMC』は、Mo箔とCu箔の多層フラット板で構成されており、 Mo粉末品よりも高熱伝導、低熱膨張に優れた低熱膨張のクラッド材です。 各種半導体分野への適用が可能ですが、4G/5G通信で用いられるGAN素子の ヒートシンクとして特に適しており、5G通信用の携帯電話基地局の デバイスの放熱原料として期待されます。 【S-CMCの特長】 ■日・米・中・欧にて特許取得済み、日・米・中にて商標登録を実施 ■Moの使用量は、目的により自由に選択可能で、ご希望の熱膨張率に対応可能 ■GaN要素を使用した衛星通信デバイスに10年以上の使用実績を有する ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問合せください。
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【S-CMCの導入事例】 ■4G/5G通信用GAN素子のヒートシンク ■メタルパッケージの放熱基板 ■セラミックスパッケージのヒートシンク ■光通信デバイスの放熱基板 など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問合せください。
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企業情報
当社は、炭素系素材を中心とした異種材料の特長を複合化し、 お客様のニーズにお応えできる材料をご提供しております。 当社の製品をいずれはその分野のスタンダードにしたいと考え、 そしてそれらの製品を北海道から広く世界へと供給していきたいと考えています。 起業してから10数年、大変な時期もありましたが、現在は需要もどんどん伸び、 ユーザーからの発展的なニーズも増えており、 それに対応できるよう更なる成長・進化を目指しております。