GaN基板(正方形)
窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。
窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。 より高い絶縁破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、GaNに基づくパワー・デバイスは、シリコン・ベースのデバイスよりも非常に優れています。
- 企業:株式会社豊港 半導体材料事業部
- 価格:応相談
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窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。
窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。 より高い絶縁破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、GaNに基づくパワー・デバイスは、シリコン・ベースのデバイスよりも非常に優れています。
LTCC基板
LTCCとは、Low Temperature Co-fired Ceramicsの略で、低温焼成セラミックスのことです。 低温焼成により抵抗の低い金属を導体に使うことが可能となり、低損失なことから、高周波用途での使用に最適です。 多層化・平坦化が容易、収縮ばらつきが小さいことから高精度・高密度実装が実現可能です。 DPC( Direct Plating Copper ) を用いることで熱伝導率が高く、高い放熱性が要求されるアプリケーションにも使用可能です。 このようにLTCCは回路基板や半導体パッケージなど様々な分野での使用が見込まれます。