更新日： 集計期間:2025年08月20日～2025年09月16日
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高密度3D配線可能な多層基板を提供！
ニッコーのLTCC基板「セラフィーユ」はAg系の導体が使用可能で導体抵抗を下げる事が可能なLTCC（低温焼結多層セラミック基板）です。 収縮制御プロセスで実装性が向上しました。 小型化で高付加価値の実装製品に最適です。 【特長】 ○低温焼結で伝達速度UP ○優れた寸法精度（±0.3％） ○内層にコイル・コンデンサ・抵抗を形成可能 ○メッキ表面処理（Ni/Au(～0.5μm)、Ni/Pd/Au 実装に合わせた表面処理） ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
セラミックス基板に薄膜集積回路パターンを形成します。
アルミナ純度99.9%を用いることで、次世代無線通信システムに必要とされる30GHz帯域動作を可能にする、微細回路パターン (line/space=30um/30um) を提供します。 【薄膜集積回路】 各種セラミックス基板に集積回路をパターニンング致します。 ●サイドパターン(0.3t以上)、AuSn半田パターンの形成が可能 ●導体、薄膜抵抗、薄膜インダクタの同時搭載可能 ●独自の99.9%アルミナ基板とファインパターンの組合せにより高周波帯域での低誘電損失・低雑音の回路形成が可能 ●基板材料として、窒化アルミニウム(ALN)基板、石英基板なども対応 【高品位アルミナ基板】 ●緻密 ●３点曲げ強度が660MPaと大きく、従来品の約2倍 ●電気的な特性が良く、高周波帯域での誘電損失が小さい
マイクロ波帯でも損失の少ないセラミック基板から薄膜パターン形成まで一貫生産。試作から量産まで高品質の製品を低価格・短納期で提供。
各種スルーホール加工、スリット加工された基板上に回路形成した薄膜集積回路部品を提供いたします。 【特徴】 ○サイドパターン（0.38t以上）、AuSn半田パターンの形成 ○導体、薄膜抵抗、薄膜インダクタの同時搭載 ○独自の99.9%アルミナ基板とファインパターンの組合せにより高周波帯域での低損失・低雑音の回路形成が可能 ○基板材料：窒化アルミニウム基板（AlN基板）、石英基板等 ○基板メーカーだから出来るトータルな技術開発・品質保証・問題解決 ○製品機能、仕様に応じた品質を提供し、短納期・設計変更にも迅速に対応致します。 その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。
LTCC基板
LTCCとは、Low Temperature Co-fired Ceramicsの略で、低温焼成セラミックスのことです。 低温焼成により抵抗の低い金属を導体に使うことが可能となり、低損失なことから、高周波用途での使用に最適です。 多層化・平坦化が容易、収縮ばらつきが小さいことから高精度・高密度実装が実現可能です。 DPC( Direct Plating Copper ) を用いることで熱伝導率が高く、高い放熱性が要求されるアプリケーションにも使用可能です。 このようにLTCCは回路基板や半導体パッケージなど様々な分野での使用が見込まれます。
ネジや金属筐体等にもパターンニング！デッドスペースが有効活用できます
『メタル基板』は、アルミ、ステンレス等をベースにした基板です。 エッチングタイプのメタル基板と比較し、高耐熱（300℃以上）で、 ネジや金属筐体等にもパターンニング可能。 デッドスペースが有効活用できます。 また、任意の形状に抵抗体のパターンニングもでき、発熱源 （高温ヒーター基板）としても作製可能です。 【特長】 ■アルミ、ステンレス等にパターンニング可能 ■ネジやパイプ等の立体形状にもパターンニングできる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
大型アルミナ部品でお困りのお客様へ － その問題、セラミックス複合材料が解決いたします。
半導体製造装置関連の市場拡大に伴い、セラミックスの調達問題が発生しております。特に大型アルミナ部品は供給元が限られ、長納期化により装置開発スケジュールに影響がでております。 セラミックス金属複合材料SA701は、アルミナに比べヤング率や曲げ強度は若干劣りますが、破壊靭性値が高く割れにくい材料であり、ハンドリングが容易です。密度はアルミナの約3/4と軽く、直ネジを加工できるため、金属ブッシュを必要とせず、軽量化が可能です。アルミナに比べて部品の大型化を得意とする金属セラミックス複合材料の採用をご検討ください。 ※詳細はPDFダウンロードボタンから資料をご覧下さい。お問合せボタンからのご質問、お問合せもお待ちしております。
窒化ガリウム（GaN）は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。
窒化ガリウム（GaN）は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。 より高い絶縁破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、GaNに基づくパワー・デバイスは、シリコン・ベースのデバイスよりも非常に優れています。
