1～4 件を表示 ／ 全 4 件
試作・開発・小ロット生産向け NSG(SiO2)/BSG/PSG/BPSG膜成膜用 バッチ式(複数枚同時処理)APCVD装置
D501は、少量生産/テストや不定形基板へのシリコン酸化膜(SiO2膜)の成膜を目的とした、バッチ式(複数枚同時処理)の常圧CVD装置(APCVD装置)です。 【特徴】 ・異形状・サイズ基板の同時処理 ・高い成膜速度 ・シンプルメンテナンス ・省フットプリント ・低CoO(低ランニングコスト) 【用途】 ・層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ・太陽電池(セル)向け固相拡散用ソース膜(BSG PSG)/キャップ膜(NSG) ※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。
少量・多品種向け NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用 枚葉式常圧CVD(APCVD)装置(8インチSiCウェハ対応)
A200Vは、層間絶縁膜・パッシベーション膜(保護膜)・犠牲膜等のシリコン酸化膜(SiO2膜)の成膜を目的とした枚葉式常圧CVD装置(APCVD装置)です。 【特徴】 ・絶縁膜・拡散/インプラマスクの成膜に好適 ・枚葉式Face-down成膜による低パーティクル成膜 ・密閉式チャンバーによる高い安全性と成膜安定性 ・ウェハ反り矯正機能（特許取得済）によるSiCウェハ対応 ・低負荷・長周期メンテナンス ・コンパクト筐体とミラータイプとの隣接設置による省スペース対応 ・低CoO(低ランニングコスト) 【用途】 ・パワー半導体用層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ・光導波路(NSG/BPSG) ※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。
量産向け NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用 高生産性 連続式常圧CVD(APCVD)装置 (8インチウェハまで対応)
「AMAX」シリーズは、層間絶縁膜・パッシベーション膜(保護膜)・エピタキシャル(Epitaxial)ウェハ用バックシール等のシリコン酸化膜(SiO2膜)の成膜を目的とした、連続式常圧CVD装置(APCVD装置)です。 【特徴】 ・最大100枚/hの高生産性 (対応ウェハサイズ: ～8インチ) ・真空・プラズマ不要 (熱CVD) ・SiCトレー採用による重金属汚染(メタルコンタミネーション)対策 ・シンプルメンテナンス ・低CoO(低ランニングコスト) 【用途】 ・エピタキシャル(Epitaxial)ウェハ用バックシール(NSG) ・パワー半導体用層間絶縁膜(NGS/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。
量産向け NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用 高生産性 連続式常圧CVD(APCVD)装置(12インチウェハ対応)
「AMAX」シリーズは、層間絶縁膜・パッシベーション膜(保護膜)・エピタキシャル(Epitaxial)ウェハ用バックシール等のシリコン酸化膜(SiO2膜)の成膜を目的とした、連続式常圧CVD装置(APCVD装置)です。 【特徴】 ・～56枚/hの高生産性 (対応ウェハサイズ: ～12インチ) ・真空・プラズマ不要 (熱CVD) ・SiCトレー採用による重金属汚染(メタルコンタミネーション)対策 ・シンプルメンテナンス ・低CoO(低ランニングコスト) 【用途】 ・エピタキシャル(Epitaxial)ウェハ用バックシール(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。
