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厳しい熱管理が求められる用途に幅広く応用
サーマルグレードCVDダイヤモンドは、極めて高い熱伝導率（最大2,200 W/m·K）を実現した先進的なポリ結晶ダイヤモンド素材です。優れた熱拡散性と機械的安定性を兼ね備え、高出力レーザー、パワーデバイス、赤外光学系など、厳しい熱管理が求められる用途に好適です。最大直径145 mmまで対応し、高精度な研磨やカスタム加工にも柔軟に対応可能。高い光学透過性を持つため、冷却基板から光学ウィンドウまで幅広く応用できます。熱を制御し、性能を最大限に引き出す次世代の高機能材料です。
横の許容は+0.2/0-0mm、厚さの許容は+/-0.05mm！電子グレードCVDについてご紹介します
ダイヤモンド合成のCVD法の目覚ましい進歩により、放射線検出に適した 特性を持つダイヤモンドを定常的に製造することが可能になりました。 CVD法の継続的な改善により、将来的にはエキサイティングな進歩を遂げ、 大面積のホモエピタキシャル成長単結晶ダイヤモンドプレート/フィルムを 提供しています。 CVDダイヤモンドが示す有望な結果により、RFダイオード、BJT、FET、MEMS、 電子産業など多くのアプリケーションがあります。 今後も継続的な技術革新と継続的な努力が、放射線治療用線量計などの 医療分野に方向性を与えていくことでしょう。 【仕様と公差】 ■横の許容：+0.2/0-0mm ■結晶方位(ミスカット)：+/-3° ■結晶学：通常100%シングルセクター{100} ■エッジ：レーザーカット ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
試作・開発・小ロット生産向け NSG(SiO2)/BSG/PSG/BPSG膜成膜用 バッチ式(複数枚同時処理)APCVD装置
D501は、少量生産/テストや不定形基板へのシリコン酸化膜(SiO2膜)の成膜を目的とした、バッチ式(複数枚同時処理)の常圧CVD装置(APCVD装置)です。 【特徴】 ・異形状・サイズ基板の同時処理 ・高い成膜速度 ・シンプルメンテナンス ・省フットプリント ・低CoO(低ランニングコスト) 【用途】 ・層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ・太陽電池(セル)向け固相拡散用ソース膜(BSG,PSG)/キャップ膜(NSG) ※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。
少量・多品種向け NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用 枚葉式常圧CVD(APCVD)装置(8インチSiCウェハ対応)
A200Vは、層間絶縁膜・パッシベーション膜(保護膜)・犠牲膜等のシリコン酸化膜(SiO2膜)の成膜を目的とした枚葉式常圧CVD装置(APCVD装置)です。 【特徴】 ・絶縁膜・拡散/インプラマスクの成膜に好適 ・枚葉式Face-down成膜による低パーティクル成膜 ・密閉式チャンバーによる高い安全性と成膜安定性 ・ウェハ反り矯正機能（特許取得済）によるSiCウェハ対応 ・低負荷・長周期メンテナンス ・コンパクト筐体とミラータイプとの隣接設置による省スペース対応 ・低CoO(低ランニングコスト) 【用途】 ・パワー半導体用層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ・光導波路(NSG/BPSG) ※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。
量産向け NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用 高生産性 連続式常圧CVD(APCVD)装置 (8インチウェハまで対応)
「AMAX」シリーズは、層間絶縁膜・パッシベーション膜(保護膜)・エピタキシャル(Epitaxial)ウェハ用バックシール等のシリコン酸化膜(SiO2膜)の成膜を目的とした、連続式常圧CVD装置(APCVD装置)です。 【特徴】 ・最大100枚/hの高生産性 (対応ウェハサイズ: ～8インチ) ・真空・プラズマ不要 (熱CVD) ・SiCトレー採用による重金属汚染(メタルコンタミネーション)対策 ・シンプルメンテナンス ・低CoO(低ランニングコスト) 【用途】 ・エピタキシャル(Epitaxial)ウェハ用バックシール(NSG) ・パワー半導体用層間絶縁膜(NGS/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。
量産向け NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用 高生産性 連続式常圧CVD(APCVD)装置(12インチウェハ対応)
「AMAX」シリーズは、層間絶縁膜・パッシベーション膜(保護膜)・エピタキシャル(Epitaxial)ウェハ用バックシール等のシリコン酸化膜(SiO2膜)の成膜を目的とした、連続式常圧CVD装置(APCVD装置)です。 【特徴】 ・～56枚/hの高生産性 (対応ウェハサイズ: ～12インチ) ・真空・プラズマ不要 (熱CVD) ・SiCトレー採用による重金属汚染(メタルコンタミネーション)対策 ・シンプルメンテナンス ・低CoO(低ランニングコスト) 【用途】 ・エピタキシャル(Epitaxial)ウェハ用バックシール(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。
耐腐食性などが要求される分野、高温になる金型、ステンレスのプレス加工に好適！
中日本炉工業株式会社にて行っている「CVD(三層)コーティング」の 特長について、ご紹介いたします。 耐焼付性、耐摩擦性、耐腐食性の要求される分野、高温になる金型、 ステンレスのプレス加工に好適。 また、TiCコーティング品においては、高硬度、耐摩擦性の要求される冷間鍛造、 プレス金型の寿命向上に貢献しています。 【検査装置(一部)】 ■マイクロビッカース硬さ試験機 ■ショア硬さ試験機 ロックウェル硬度計 ■倒立式金属顕微鏡 ■卓上顕微鏡＋エネルギー分散型X線分析装置 ■マイクロスコープ ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
フロー管理システムが搭載！粉体へも高温でのCVD/PECVDによる処理が可能
『EVADシリーズ』は、ガス、蒸気、液体や固体原料から合成・成膜可能な、 CVD、PECVD横型炉装置です。 シングルゾーン、マルチゾーンによる温度分布を制御し、 回転機構付き高品質ステンレス製チャンバーにより粉体へも 高温でのCVD/PECVDによる処理が可能。 PLASMICON制御システムにより全自動プロセス、データ保存に対応しています。 【特長】 ■FLOCONシリーズのフロー管理システムが搭載 ■PLUMEシリーズのICPプラズマソースを搭載可能 ■ガス、蒸気、液体や固体原料から合成・成膜可能 ■シングルゾーン、マルチゾーンによる温度分布制御 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
厳しい環境下で必要とされる防衛用の様々なアプリケーションに応用可能！
当社では、CVD Ceramics社の化学気相成長法（CVD法）によって 製造している硫化亜鉛『CVD Zinc Sulfide(R)』および『Cleartran(R)』を 取り扱っています。 これらの材料は化学的に不活性で、吸湿性も無く、高密度なことから 機械加工性に優れており、円形、長方形などレンズ、プリズム、 ドーム形状への加工が容易に可能です。 【特長】 ■優れた機械強度と耐環境性 ■可視域（0.35nm～）に透明なクリアトラン ■低散乱 ■化学的に不活性 ■非吸湿性 ■簡易な機械加工性 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
最高品質を保ちつつ、基板幅と成膜速度を最大化することで、大量生産プロセスの最適化ができるように設計されています。
この技術により、バリア成膜品、光学多層膜製品、機能性繊維、ディスプレーの製造や、一連の関連するカスタムアプリケーションを最適化することができます。 PlasmaMAX ホローカソード は、形状をカスタマイズすることができるため、水平型インライン式の真空成膜装置、垂直型インライン式真空成膜装置、ロールツーロールのウェブコーティングプロセスにも容易に組み込むことが可能です。簡単にカスタマイズできるデザインプラットフォームと広範囲な圧力域で安定したプロセスを実現できるため、ほとんどの既存CVD設備、PVD設備にも使用することができ、低コストでパフォーマンスの最適化が可能です。
