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ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。
あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 各種サンプル形態に対応します。 Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ IR-OBIRCH解析：～100mA/10V ～100uA/25V まで対応 エミッション解析：～2kV まで対応 ＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
高度な試料作製技術と半導体用の故障解析装置を応用！不点灯や輝度劣化の原因を調査
当社の「LEDの故障解析」では、高度な試料作製技術と半導体用の 故障解析装置を応用し、LEDの故障解析を行い不点灯や輝度劣化の 原因を調査します。 「LED不良モードの切り分け」では、レンズ研磨後の点灯試験、 観察LEDの樹脂をそれぞれ、a, b, c まで研磨し、（a）,（b）点灯観察、 （c）樹脂越しのチップの光学観察を行いました。 この他にも「電気的正常」、「オープン、高抵抗」などがございます。 【LEDパッケージの初期診断項目】 ■電気特性測定 ■外観観察 ■レンズ研磨/パッケージ内部光学観察 ■点灯試験（輝度分布観察） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
独自の前処理加工技術により様々な状態のサンプルに対して解析を実施可能！
当社では、信頼性試験から故障解析までの一貫した解析を行っております。 それにより、サンプルが規格を満たしているか確認すると共に、 Failしたサンプルの不良箇所の特定及び観察をする事が可能。 お客様のご要望、目的に応じた試験や解析をご提案、実施し、 原因究明～問題解決までのお手伝いをいたします。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問合せください。 【解析の流れ】 ■信頼性試験による半導体素子のスペック確認 ■不良箇所特定～TEMによる故障箇所の観察 ・EMS/OBIRCH解析による不良箇所特定 ・TEMによる故障箇所の観察 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
