解析技術：静電気破壊
SiC-MOSFET/ロックイン発熱解析/プラズマFIBの活用！IR-OBIRCHで故障箇所を特定
当社で行った「静電気破壊」の故障解析をご紹介いたします。 破壊したサンプルの外観観察、及び非破壊検査においては異常は確認 されず、このことから、故障規模が微小であることを推察。レーザーと 薬液開封によりSiCチップを露出し、LITによる発熱解析を行うことで 微小な故障箇所を絞り込みました。 アルミ電極を除去後にIR-OBIRCHで故障箇所を特定し、プラズマFIB装置を 用いてSiCチップの断面図を解析した結果、故障したセルのトレンチゲート 左側の酸化膜が破壊している様子が確認されました。 【概要】 ■故障箇所特定 ・レーザーと薬液開封によりSiCチップを露出し、LITによる発熱解析を 行うことで微小な故障箇所を絞り込んだ ■故障箇所の詳細解析 ・アルミ電極を除去後にIR-OBIRCHで故障箇所を特定し、プラズマFIB装置を 用いてSiCチップの断面図を解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社クオルテック
- 価格：応相談
