故障解析装置のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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故障解析装置 - メーカー・企業5社の製品一覧とランキング

更新日: 集計期間:2025年10月01日~2025年10月28日
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故障解析装置のメーカー・企業ランキング

更新日: 集計期間:2025年10月01日~2025年10月28日
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  1. 東機通商株式会社 東京都/商社・卸売り
  2. 日本ファインテック株式会社 本社 愛知県/産業用機械
  3. 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 東京都/試験・分析・測定
  4. 4 株式会社アイテス 滋賀県/電子部品・半導体
  5. 5 株式会社クオルテック 大阪府/サービス業

故障解析装置の製品ランキング

更新日: 集計期間:2025年10月01日~2025年10月28日
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  1. TD Imaging | 半導体故障解析装置(発熱計測) 東機通商株式会社
  2. 設備故障解析装置『みはる君』 日本ファインテック株式会社 本社
  3. ロックイン発熱解析法 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
  4. 4 接合・接着・実装部の不良解析をはじめとした解析技術のあり方 株式会社アイテス
  5. 4 解析技術:静電気破壊 株式会社クオルテック

故障解析装置の製品一覧

1~5 件を表示 / 全 5 件

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接合・接着・実装部の不良解析をはじめとした解析技術のあり方

分析・解析技術をどのような観点から進めるべきかをご紹介!

当社では、電子部品ばかりではなく無機・有機素材をはじめ、多くの製品、 部品、素材を故障・不良解析、構造解析、良品解析、信頼性評価といった面で お客様の課題・問題解決に向けてサポートしています。 当資料は、分析・解析技術をどのような観点から進めるべきかをご紹介。 お客様にとっても問題解決の端緒と紐解きの一助となれば幸いです。 【掲載内容】 ■はじめに ■接合のイメージと当社の評価・解析技術の位置付け ■不具合要因 ■手法 ■終わりに ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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解析技術:静電気破壊

SiC-MOSFET/ロックイン発熱解析/プラズマFIBの活用!IR-OBIRCHで故障箇所を特定

当社で行った「静電気破壊」の故障解析をご紹介いたします。 破壊したサンプルの外観観察、及び非破壊検査においては異常は確認 されず、このことから、故障規模が微小であることを推察。レーザーと 薬液開封によりSiCチップを露出し、LITによる発熱解析を行うことで 微小な故障箇所を絞り込みました。 アルミ電極を除去後にIR-OBIRCHで故障箇所を特定し、プラズマFIB装置を 用いてSiCチップの断面図を解析した結果、故障したセルのトレンチゲート 左側の酸化膜が破壊している様子が確認されました。 【概要】 ■故障箇所特定 ・レーザーと薬液開封によりSiCチップを露出し、LITによる発熱解析を  行うことで微小な故障箇所を絞り込んだ ■故障箇所の詳細解析 ・アルミ電極を除去後にIR-OBIRCHで故障箇所を特定し、プラズマFIB装置を  用いてSiCチップの断面図を解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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設備故障解析装置『みはる君』

生産設備の故障解析にお役に立ちます

『みはる君』は、PLC設備異常情報のファイル保存機能により、 低コストで故障要因の解析を可能にした設備故障解析装置です。 保存される動画は一般的な形式ですので、WindowsMediaPlayer等の アプリケーションで閲覧、お手持ちのパソコンとWebカメラでも 監視システムの構築ができます。 【特長】 ■設備の故障信号をトリガに故障画像を記録 ■PLCデバイスをトリガにすれば、設備に手を加えることなく監視開始 ■あらかじめ日時を設定しての録画予約機能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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ロックイン発熱解析法

ロックイン発熱解析法は、電流経路中の僅かな温度上昇を検出します

・IR-OBIRCH機能も合わせ持ち、発熱箇所特定後、IR-OBIRCH測定により、故障箇所をさらに絞り込むことができます。 ・赤外線を検出するため、エッチングによる開封作業や電極の除去を行うことなく、パッケージのまま電極除去なしに非破壊での故障箇所特定が可能です。 ・ロックイン信号を用いることにより高いS/Nで発熱箇所を特定でき、Slice & Viewなど断面解析を行うことができます。

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TD Imaging | 半導体故障解析装置(発熱計測)

熱反射×レーザー技術で、LITでは検出が難しかった金属層下の発熱箇所を2μmまで絞り込み、発熱解析の限界を突破します。

TD Imagingは、浜松ホトニクスが開発・特許を取得したレーザースキャンによる熱反射法を用いた新しい発熱解析手法です。 1300nmの近赤外レーザーと比べると、670nmの短波長レーザーでは銅やアルミなど金属表面で4倍以上のS/N比を達成します。 さらに、発熱箇所を2μmまで絞り込めるため、従来のLITでは困難だった金属層下の欠陥箇所特定も可能にします。 また、広範囲からの検出に優れるLITとの併用により、電気的故障解析(EFA)から物理的故障解析(PFA)まで、解析フロー全体の精度と効率を飛躍的に高めます。

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  • 半導体検査/試験装置
  • 欠陥検査装置

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