構造解析のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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構造解析(lsi) - メーカー・企業と製品の一覧

構造解析の製品一覧

1~8 件を表示 / 全 8 件

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【分析事例】微小部XRD分析による結晶構造評価

微小領域のXRD測定が可能

照射X線をΦ400μmに絞ってXRD測定を行うことで、面全体ではなく所定の領域を狙って結晶情報を取得した事例をご紹介します。 プリント基板サンプルのXRD測定の結果、測定箇所(1)~(3)全てでCuとBaSO4が検出され、電極である測定箇所(1)ではAu由来のピークが検出されました。XRFによる測定結果とよく一致しています。 このように組成や結晶性の異なる数百μmの領域を狙って結晶構造を同定することが可能です。 測定法:XRD・XRF 製品分野:LSI・メモリ・電子部品 分析目的:組成評価・同定・構造評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

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透過EBSD法による30nm以下の結晶粒解析

EBSD:電子後方散乱回折法

薄片化した試料でEBSD分析を行うことにより、従来のバルク試料よりも高い空間分解能を得ることができます。

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極点測定

XRD:X線回折法

極点測定は特定の結晶面に着目し、試料に対して様々な方向からX線を入射させることで結晶方位の分布を評価する方法です。検出器を着目の結晶面の回折角度(2θ)に固定し、α(試料のあおり角度)とβ(試料の面内回転角)の2つのパラメータを変化させてあらゆる方向に傾いた結晶面を測定します。高い回折強度が観測される方向に結晶方位が集中していることを示します。また、測定結果は右下の図のような極図形で表します。

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【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

アモルファスSiNx(a-SiNx)膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本資料では、分子動力学計算を用いたa-SiNx膜の構造解析事例を紹介します。

  • 受託解析
  • メモリ

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アンシス・ジャパン株式会社 構造解析製品総合カタログ

1つの製品のあらゆる構造的側面のシミュレーションを実施!

Ansysは、世界中の企業・研究機関で導入されているマルチフィジックスCAEです。構造・振動・電熱・電磁界・圧電・音響・熱流体・落下衝撃などの物理現象や、それらを組み合わせた連成問題を、エンジニアが目的にあわせて柔軟に解析することが可能です。構造解析製品総合カタログでは、モデリング「3次元CADインターフェース」、メッシュ生成ツールのほか、陽解法による落下・衝突解析ツール「Ansys LS-DYNA/Ansys Autodyn」、最適化ツール「Ansys DesignXplorer」など、多数掲載しております。詳しくはお問い合わせまたはカタログをご覧ください。 <Ansysの個人情報の取り扱いについて> 登録することにより、この プライバシー通知 (https://www.ansys.com/ja-jp/legal/terms-and-conditions) に準拠して、この事象/資産および関連するコミュニケーションを提供する目的で、これらの 条件 (https://www.ansys.com/ja-jp/legal/privacy-notice)および個人データの処理に同意したことになります。

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  • 構造解析

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レポート アプリケーションプロセッサのロジック詳細構造解析

Mediatek MT6592 オクタコア(8コア)の詳細構造解析です。

本レポートは、Mediatek MT6592 オクタコア (8コア) アプリケーションプロセッサの詳細構造解析です。 MT6592は、ARM Cortex-A7プロセッサを搭載し、「真のオクタコア」と謳 (うた) われるSoCで、GPUは4コアARM MaliTMを採用し、フルHDディスプレイ、最大1、600万画素のカメラ、マルチモード セルラーモデム、デュアルバンド801.11n Wi-Fiなどをサポートしています。 MT6592は、8層メタル(7 Cu、1 Al)構造、high-kメタルゲート(HKMG)、ゲート長 28nmのTSMCによるHPM CMOSプロセスを使用して製造されています。 【特徴】 ○トランジスタのチャネルの結晶方向 <110> ○酸化ハフニウム(HfO2)素材のゲート絶縁膜 ○デュアルワーク ファンクション メタルゲート ○nMOS(NiSi)およびpMOS(NiSiGe)ソース/ドレイン領域、およびlow-k層間絶縁膜 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

  • 解析サービス

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構造(FEM)解析

構造強度に関する設計開発の課題および品証問題を解決いたします

・変形解析 ・応力解析 ・接触解析 ・材料塑性解析 ・大規模アセンブリー解析 ・クリープ解析 ・座屈解析 (座屈固有値、非線形座屈) ・振動解析 (固有振動、周波数or時刻歴応答、 ランダム応答) ・走行解析 ・衝突解析 (落下、転倒、走行衝突、圧縮崩壊) ・破壊解析  (延性破壊、脆性破壊) ・塑性加工解析  (プレス、ベンド、ストレッチ、ハイドロ) ・流体構造連成解析  (スロッシング、流体衝撃) ・溶接解析  (工程再現、固有ひずみ法) ・機構解析 ・熱伝導解析  (定常、非定常、輻射) ・亀裂進展解析  (J値、K値)

  • 構造解析
  • 受託解析
  • 解析サービス

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Xe-プラズマFIBによる構造解析

数百μmの広い領域を対象に精密加工/構造評価が可能

高い位置精度かつ広域の断面作製を実現し新しい大容量解析アプリケーションとして活用できます 大面積中の小さな構造でも狙って加工でき、広域の構造解析が可能

  • 受託解析

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