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目的・コストに合わせて柔軟に対応！大学・公的研究機関や基礎実験用に。
『研究開発用真空蒸着装置』は、 大学・公的研究機関や基礎実験用に適した小型蒸着装置シリーズです。 コンパクトな筐体に電子蒸発源を標準装備した前扉型と全手動で抵抗加熱源を 基本構成とした簡易実験型の2機種をラインアップしています。 両機種（前扉型・簡易実験型）とも目的・コストに合わせて柔軟な 仕様対応が可能。デモ機を常設し、サンプルテスト対応いたします。 【特長】 ■実績豊富なハードと柔軟なコスト対応 ■目的に合わせた豊富なオプション機構(高温加熱・基板冷却・多元同時蒸着・ 有機物用蒸発源 リフトオフプロセス対応） ■プラズマ電極・RFコイルなどのイオン化機構・プラズマ電極追加対応 ■サンプルテストからハードのカスタマイズ、納入後のフォローまで 一貫した顧客対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
膜厚均一性に優れた成膜機構と高速排気を実現！高品質の電極膜を安定して形成可能
『ウェハプロセス用真空蒸着装置』は、6インチまでのウェハへの 電極膜形成に対応したバッチタイプ蒸着装置です。 ディスクリートIC、化合物IC、MEMSデバイスの量産用途に 豊富な実績を持っています。膜厚均一性に優れた成膜機構と高速排気を 実現するオイルフリー排気系により高品質の電極膜を安定して形成が可能。 量産用途の蒸着装置として高い稼働率を誇ります。 【特長】 ■信頼性の高い基本構成 ■豊富なオプション機構 ・蒸発源、多連式電子銃（10kw）、抵抗加熱蒸発源、多元同時蒸着機構 ・高温加熱（最高550℃）＝3面プラネタリードーム ・基板クリーニング、イオンガン、ＲＦボンバード機構 ・基板ドーム、3面プラネタリードーム、公転ドーム、高温加熱用公転ドーム ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高周波・通信デバイスに多用されるリフトプロセスに対応した専用蒸着装置です
『リフトオフプロセス対応真空蒸着装置』は、 化合物半導体やSAWデバイスなど光デバイスや高周波・通信デバイスに 多用されるリフトプロセスに対応した専用蒸着装置です。 蒸発源に電子銃と抵抗加熱電極を装備しており、高融電極膜や貴金属を含む 厚膜の形成が可能。 基板への蒸発粒子の入射角の垂直性に優れており、成膜時の基板の温度上昇を 防ぐ各種機構（基板水冷機構、電子銃用反射電子トラップ、輻射光防止対策） により低温蒸着が可能です。 【特長】 ■蒸着粒子の基板への入射角の垂直性（90°±3°at6インチウェハ） ■基板水冷機構による低温蒸着（70℃以下＝実績値） ■大口径排気系による高速排気とクリーンなバックグラウンドによる緻密な膜質 ■豊富なオプション類による柔軟なハード＆ソフト対応（枚葉式＝CtoC化 ロードロック化 複合プロセス化＝ロードロック化＋他プロセス室接合） ■デモ機を常設し、サンプルテスト対応可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
