【解析事例】薄膜ヘッドの解析
薄膜ヘッドに電流を流した場合の磁場(磁界)解析の例を示します。
薄膜ヘッドの解析の節点数は65670で、要素数は61089です。 解析条件は、磁性体の電気伝導率 5×106 [Sm-1]、磁性体の磁場特性は図に示された磁束密度と磁場の関係(B-H曲線)を用いました。 詳しくはカタログをダウンロードしてください。
- 企業:株式会社フォトン
- 価格:応相談
更新日: 集計期間:2025年08月13日~2025年09月09日
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薄膜ヘッドに電流を流した場合の磁場(磁界)解析の例を示します。
薄膜ヘッドの解析の節点数は65670で、要素数は61089です。 解析条件は、磁性体の電気伝導率 5×106 [Sm-1]、磁性体の磁場特性は図に示された磁束密度と磁場の関係(B-H曲線)を用いました。 詳しくはカタログをダウンロードしてください。
計算の精度が高い!装置内のプラズマ密度が、比較的低い場合のプラズマ解析を得意とするモジュール
『プラズマPICモンテカルロ衝突モジュール(PIC-MCCM)』は、プラズマ CVD装置、プラズマエッチング装置、スパッタリング装置、機能性薄膜の 製造装置といった装置内の、非平衡低温プラズマの挙動を解析ができる モジュールです。 装置内のプラズマ密度が、比較的低い(10^16[#/m3];10^10[#/cc]程度以下) 場合のプラズマ解析を得意としており、電磁場中での電子ビーム、イオン ビームの軌道解析などといった荷電粒子挙動解析も可能です。 【特長】 ■物理モデルが比較的簡単である ■シミュレーションの際に持ち込まれている物理モデルの仮定や近似が少ない ■計算の精度が高い ■SMCMとのカップリングにより、バッファガス・ラジカル種の影響も 考慮にいれた連成シミュレーションを行うことが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低圧条件のガス流れの解析ができる 希薄気体(希薄流体)にも対応した解析ソフト
【特長】 ■非構造メッシュを採用しているので、複雑な実際の装置の形状そのままを計算することが可能 ■高い並列効率から、大規模形状でも短時間で計算結果が得られる ■粒子法を採用しているため流体モデルと異なり,品質の悪い計算格子が有っても,必ず収束解を得られる ■充実した技術サポートにより、シミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことが可能 ◆さまざまな事例に対応◆ ・真空チャンバー内の希薄なガス流れシミュレーション ・半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ・化学蒸着 (CVD)、有機EL (OLED)、分子線エピタキシー (MBE ) ・CVD のような化学反応を含む成膜シミュレーション などの半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・化学反応の計算 ・アレニウス形式の反応データから化学反応を計算 ・解離・再結合・分子(原子)交換反応計算 ・GUI 上で,複数の反応式を設定も可能 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「シャワーヘッド型CVD」解析にも対応した 希薄流体解析ソフトウェア『DSMC-Neutrals』
シャワーヘッド型CVD装置内のガス流れのシミュレーション解析 はじめ様々なシミュレーションに対応 【特長】 ■非構造メッシュを採用しているので、複雑な実際の装置の形状そのままを計算することが可能 ■高い並列効率から、大規模形状でも短時間で計算結果が得られる ■粒子法を採用しているため流体モデルと異なり,品質の悪い計算格子が有っても,必ず収束解を得られる ■充実した技術サポートにより、シミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことが可能 ◆さまざまな事例に対応◆ ・真空チャンバー内の希薄なガス流れシミュレーション ・半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ・化学蒸着 (CVD)、有機EL (OLED)、分子線エピタキシー (MBE ) などの半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・化学反応の計算 ・アレニウス形式の反応データから化学反応を計算 ・解離・再結合・分子(原子)交換反応計算 ・GUI 上で,複数の反応式を設定も可能 ※受託解析もしておりますので、お気軽にお問い合わせ下さい。
「コンタミネーションに影響するダスト挙動」解析にも対応した 希薄流体解析ソフトウェア『DSMC-Neutrals』
「コンタミネーションに影響するダスト挙動」のシミュレーション解析 はじめ様々なシミュレーションに対応 【特長】 ■非構造メッシュを採用しているので、複雑な実際の装置の形状そのままを計算することが可能 ■高い並列効率から、大規模形状でも短時間で計算結果が得られる ■粒子法を採用しているため流体モデルと異なり,品質の悪い計算格子が有っても,必ず収束解を得られる ■充実した技術サポートにより、シミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことが可能 ◆さまざまな事例に対応◆ ・真空チャンバー内の希薄なガス流れシミュレーション ・半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ・化学蒸着 (CVD)、有機EL (OLED)、分子線エピタキシー (MBE ) などの半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・化学反応の計算 ・アレニウス形式の反応データから化学反応を計算 ・解離・再結合・分子(原子)交換反応計算 ・GUI 上で,複数の反応式を設定も可能 ※受託解析も行っておりますので、お気軽にお問い合わせ下さい。
低圧条件のガス流れの解析ができる 希薄気体(希薄流体)にも対応した解析ソフト
【特長】 ■非構造メッシュを採用しているので、複雑な実際の装置の形状そのままを計算することが可能 ■高い並列効率から、大規模形状でも短時間で計算結果が得られる ■粒子法を採用しているため流体モデルと異なり,品質の悪い計算格子が有っても,必ず収束解を得られる ■充実した技術サポートにより、シミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことが可能 ◆さまざまな事例に対応◆ ・真空チャンバー内の希薄なガス流れシミュレーション ・半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ・化学蒸着 (CVD)、有機EL (OLED)、分子線エピタキシー (MBE ) などの半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・化学反応の計算 ・アレニウス形式の反応データから化学反応を計算 ・解離・再結合・分子(原子)交換反応計算 ・GUI 上で,複数の反応式を設定も可能 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低圧条件のガス流れの解析ができる 希薄気体(希薄流体)にも対応した解析ソフト
【特長】 ■非構造メッシュを採用しているので、複雑な実際の装置の形状そのままを計算することが可能 ■高い並列効率から、大規模形状でも短時間で計算結果が得られる ■粒子法を採用しているため流体モデルと異なり,品質の悪い計算格子が有っても,必ず収束解を得られる ■充実した技術サポートにより、シミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことが可能 ◆さまざまな事例に対応◆ ・真空チャンバー内の希薄なガス流れシミュレーション ・半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ・化学蒸着 (CVD)、有機EL (OLED)、分子線エピタキシー (MBE ) ・CVD のような化学反応を含む成膜シミュレーション などの半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・化学反応の計算 ・アレニウス形式の反応データから化学反応を計算 ・解離・再結合・分子(原子)交換反応計算 ・GUI 上で,複数の反応式を設定も可能 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
回折格子解析ソフトウェア
回折格子の設計等において使用される、回折格子解析ソフトウェア。 様々なタイプの格子構造解析に利用可能です。特に任意の積層ラメラ周期構造の処理に適しています。格子プロファイルや均質な等方性材料の数や種類に制限はありません。 以下のような回折構造設計において使用されます。 薄膜スタック グレーティングカプラ 反射防止格子構造 偏光子 伝送格子 反射格子 サブ波長構造 グリズム
各種マスクデータ形式に対応!製品の迅速かつ的確な開発、改良のための設計環境を提供します
『IntelliSuite』は、半導体素子の製造工程を利用したマイクロマシン(MEMS)の 製造工程の検討から、デバイスの性能評価まで一貫して検討することを 目的とした、統合型の設計・解析ソフトウェアです。 汎用性を持たせることによる弊害の排除、数値解析におけるユーザー負担の 軽減を実現し、効率的な解析結果の取得を促すことで、MEMS開発における 負担の軽減を実現しています。 【特長】 ■専門技術間のシームレスなデータ連携を実現するソフトウェア設計環境 ■等価回路要素による高速設計機能 ■MEMS構造設計者向けデザインルールチェック ■Optical,Piezo,Sensor,RF,Bio,他の各種MEMSに対応 ■ASIC設計との連携機能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
「マテリアルズインフォマティクス」に有効な材料開発シミュレーションソフトウェア 『Materials Studio』
ツールを活用し連携する事により、より効率よく、より簡単に、 新規材料開発に役立ちます。 ■「マテリアルズインフォマティクス」にも最適 量子力学、古典力学、メソスケール、統計、分析/結晶化ツールを備えた 次世代材料開発向け分子モデリング/シミュレーションツール群です。 【特長】 ■材料開発を効率化するシュミレーションソフト 業界分野を問わず、研究、開発、設計、製造に従事される方にご利用いただけます ■さまざまなタイプの材料に対応 ■一つのGUI画面上で、結晶構造の作成、計算条件設定、計算結果表示の 全てを行うことが可能 【事例】 トライボケミカル(潤滑)反応 CFRP(炭素系素材)などの解析 結晶成長や薄膜形成、燃料電池、潤滑剤 触媒、ポリマー、混合物、金属や合金、電池や燃料電池など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。 株式会社ウェーブフロント 営業部 MAIL: sales@wavefront.co.jp URL: http://www.wavefront.co.jp/
新衝突計算法を指定することにより、平均自由行程以上のセルサイズでの計算が可能です!
『中性粒子DSMCモジュール(DSMCM)』は、多数のサンプル粒子を配置し、 それらの粒子の衝突を物理モデルに従って確率的に引き起こして挙動を 追跡していくといったDSMC法(粒子モデル)を用い、いろいろな真空装置内の 希薄気体の流れ場を解析するためのモジュールです。 エッチング装置、薄膜製造装置、スパッタリング装置内の電荷を持たない 中性粒子(バッファガス、ラジカル種、スパッタリング粒子)の挙動を 解析することが可能。 また、新衝突計算法を指定することにより粘性流領域(Kn<0.01)の解析もできます。 【特長】 ■原理的には自由分子流から常圧の気体の流れ場までを解析できる ■計算量の問題から、低圧の流れ場に適用するのが有効 ■新衝突計算法(U-system)を指定することにより、平均自由行程以上の セルサイズでの計算が可能 ■PIC-MCCMやPHMとカップリングすることにより、ラジカル種やスパッタリング 粒子の挙動も(テスト粒子モンテカルロ法を用いて)高速に計算することが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Particle-PLUS解析事例紹介 "対面ターゲットを用いたAl薄膜作製"シミュレーション事例
『Particle-PLUS』は プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造に適した シミュレーションソフトウェアです。 ・低圧プラズマ解析を得意とします ・軸対称モデルと鏡面対称境界条件を組み合わせで 装置全体のシミュレーションを行う必要なく、 高速に結果を得ることができます。 ・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします ・2D(2次元),3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます ・自社開発ソフトの強みとして お客様の装置に合わせたカスタマイズも可能です ◆さまざまな事例に対応◆ ・マグネトロンスパッタ ・PVD、プラズマCVD ・容量結合プラズマ (CCP) ・誘電体バリア放電 (DBD) ・電気泳動 など ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・ポテンシャル分布 ・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布 ・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス ・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル ・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布 など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。