新衝突計算法を指定することにより、平均自由行程以上のセルサイズでの計算が可能です！
『中性粒子DSMCモジュール（DSMCM）』は、多数のサンプル粒子を配置し、 それらの粒子の衝突を物理モデルに従って確率的に引き起こして挙動を 追跡していくといったDSMC法（粒子モデル）を用い、いろいろな真空装置内の 希薄気体の流れ場を解析するためのモジュールです。 エッチング装置、薄膜製造装置、スパッタリング装置内の電荷を持たない 中性粒子（バッファガス、ラジカル種、スパッタリング粒子）の挙動を 解析することが可能。 また、新衝突計算法を指定することにより粘性流領域(Kn<0.01)の解析もできます。 【特長】 ■原理的には自由分子流から常圧の気体の流れ場までを解析できる ■計算量の問題から、低圧の流れ場に適用するのが有効 ■新衝突計算法(U-system)を指定することにより、平均自由行程以上の セルサイズでの計算が可能 ■PIC-MCCMやPHMとカップリングすることにより、ラジカル種やスパッタリング 粒子の挙動も（テスト粒子モンテカルロ法を用いて）高速に計算することが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【機能一覧（一部）】 ■応用分野：真空装置・ポンプを含む装置内での希薄気体流れ ・一般的な希薄気体条件下での中性粒子の気体流れ解析 ・スパッタリング粒子挙動解析（スパッタ装置内の基板堆積） ■モデリング手法：粒子法 ■解析手法：DSMC法およびテスト粒子モンテカルロ法 ■対象次元：2次元（デカルト座標系、軸対称座標系） ■ソルバー：ドライバー DSMCM／モジュール DSMCM ■座標系：デカルト（xy直交）座標系／円筒（rz直交）座標系 ■メッシュ形状：直交メッシュ（可変ピッチ可能） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
真空／プラズマ／希薄気体及び、気体エレクトロニクス分野における物理現象を解析するソフトを自社開発／販売を志して独立した企業です。私どもでは創造力、開発力、技術力そして競争力を企業精神としております。
