1～2 件を表示 ／ 全 2 件
高選択性エッチング！ICPソースと基板電極間の間隔調整によるラジカル供給の最適化
『SI 500』は、ICPパワーによるイオン密度の制御のICP-RIEです。 独自のPTSA200ICPソースによる10＾12[イオン/cm3]の 高いプラズマ密度により高エッチレートを実現。 また、バイアスパワーによるイオンエネルギーの制御で 低ダメージエッチングとなっております。 【特長】 ■ICPパワーによるイオン密度の制御 ■バイアスパワーによるイオンエネルギーの制御 ■ICPソースと基板電極間の間隔調整によるラジカル供給の最適化 ■低ダメージエッチング ■高選択性エッチング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
真空カセット室を備え、プロセス再現性や安定性に優れた本格生産用装置をご紹介
『RIE-800iPC/RIE-400iPC』は、SiCトレンチ形状の25枚連続加工の安定性を 誇るICPエッチング装置です。 高RFパワー(2 kW以上)を効率よく安定して印加可能で、良好な均一性を実現。 また、反応室に直結した排気システムを採用することで、小流量・ 低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現しています。 【特長】 <RIE-800iPC> ■最大Φ8”ウエハ対応 ■放電形式に誘導結合プラズマを採用 ■真空カセット室を備えプロセス再現性や安定性に優れる ■ウエハとプラズマ間距離を最適化し、良好な面内均一性を確保 ■TMP(ターボ分子ポンプ)や高周波電源をユニット化し、交換が容易 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
