イオンビームスパッタリング装置
RFイオンソースを使用し、シングルステージまたはプラネタリーステージを搭載したイオンビームスパッタリング(IBS)装置です。
お客様用途に合わせて、研究開発用、量産用に装置設計いたします。 【装置特長】 ・プロセス動作圧10-2Pa台(10-4Torr台) 高真空成膜可能 ・コンタミネーションが少ない ・無加熱成膜可能 ・高密度膜 ・反応性成膜可能 ・イオンビームアシスト追加可能 ・膜厚等の制御性良好
- 企業:アールエムテック株式会社
- 価格:応相談
1~1 件を表示 / 全 1 件
RFイオンソースを使用し、シングルステージまたはプラネタリーステージを搭載したイオンビームスパッタリング(IBS)装置です。
お客様用途に合わせて、研究開発用、量産用に装置設計いたします。 【装置特長】 ・プロセス動作圧10-2Pa台(10-4Torr台) 高真空成膜可能 ・コンタミネーションが少ない ・無加熱成膜可能 ・高密度膜 ・反応性成膜可能 ・イオンビームアシスト追加可能 ・膜厚等の制御性良好