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イオンビームスパッタ装置 - 企業4社の製品一覧

製品一覧

1~6 件を表示 / 全 6 件

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小型研究用 イオンビームスパッタリング装置

イオンソースを搭載した実験用装置 精密光学の超薄膜多層成膜に活用可能

OSIの「イオンビームスパッタリング装置」は、お客坂の使用ニーズに合わせてカスタマイズできるイオンソースを搭載した実験用装置です。Veeco社の SPECTOR 相等の能力を発揮します。 RFイオンソースをスパッタ用およびスパッタ用/アシスト用として使用し、OMSまたはOTMソフトを搭載した精密光学の超薄膜多層成膜に適しています。 【特長】 ■イオンソースを搭載した実験用装置 ■Veeco社の SPECTOR 相等の能力を備える ■OMSまたはOTMソフトを搭載した精密光学の超薄膜多層成膜に最適 ■使用ニーズに合わせてカスタマイズ可能 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

  • スパッタリング装置

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リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置 

ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加で高品位かつフレキシブルな成膜をする装置です

ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加により高品質かつフレキシブルな成膜をする装置です。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 複数のターゲットを搭載し、切り替えての多層成膜も簡単に行えます。同時にターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能。新たな素材探索や成膜プロセスの構築など、幅広い研究に対応できる装置です。 これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体ターゲットや、金属ターゲットとセラミックターゲットなどの異物質Co-スパッタ研究など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートする装置です。 直進性の高い成膜  →イオンビームスパッタの特徴である直進性の高い成膜 多連装ターゲット機構  →幅広い多層膜成膜 複数ターゲットへの同時プラズマ供給とスパッタ制御  →精密に制御したCo-スパッタ成膜 基盤へのバイアス印加制御によるコンフォーマル成膜  →ディープトレンチ、回り込みなどの悪条件下でもコンフォーマルな成膜

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  • スパッタリング装置

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精密光学用イオンビームスパッター装置 IBS1400/1600

ビューラー・ライボルトオプティクスの真空IBS装置

世界最大の真空装置・機器メーカーとして160年近い歴史を持つライボルトオプティクスは、業界のリーダーとして長年の経験を有し、高精度な光学コーティングを実現するための真空薄膜製造装置およびプロセスを提供しています。研究開発用途から大量生産の大型設備まで様々な真空チャンバーサイズを取り揃え、お客様の多様なニーズにお応えいたします。

  • その他表面処理装置

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イオンビームスパッタ装置『scia Coat 200/500』

最大5(220mm径)又は4(300mm径)ターゲット搭載!イオンビームスパッタ装置をご紹介

『scia Coat 200/500』は、最大200mmウエハ基板又は 300mm×500mm基板対応の製品です。 プロセスは、イオンビームスパッタリング(IBS)、 イオンビームエッチング(IBE)、デュアルイオンビーム スパッタリング(DIBS)となっております。 ご用命の際は、お気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大200mmウエハ基板又は300mm×500mm基板対応 ■最大5(220mm径)又は4(300mm径)ターゲット搭載 ■RFソース(120mm~350mm) ■リニアマイクロウエーブECRソース(2×380mm長) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • スパッタリング装置

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光学フィルター用多層膜成膜イオンビームスパッタ装置

DWDM成膜用イオンビームスパッタ装置です。

光学分野用イオンビームスパッタ装置です。 スパッタ:16cm RF Ion Source アシスト:16cm RF Ion Source ターゲット:2面 揺動機能 ステージ:自転 膜厚制御:透過型波長可変レーザー膜厚制御 主排気:クライオポンプ 又は TMP+SUPCOLD 詳しくはお問い合わせ願います。

  • レーザ部品
  • その他光学部品

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イオンビームスパッタリング装置

RFイオンソースを使用し、シングルステージまたはプラネタリーステージを搭載したイオンビームスパッタリング(IBS)装置です。

お客様用途に合わせて、研究開発用、量産用に装置設計いたします。 【装置特長】 ・プロセス動作圧10-2Pa台(10-4Torr台)  高真空成膜可能 ・コンタミネーションが少ない ・無加熱成膜可能 ・高密度膜 ・反応性成膜可能 ・イオンビームアシスト追加可能 ・膜厚等の制御性良好

  • スパッタリング装置
  • その他半導体
  • 磁石

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