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イオンソースを搭載した実験用装置 精密光学の超薄膜多層成膜に活用可能
OSIの「イオンビームスパッタリング装置」は、お客坂の使用ニーズに合わせてカスタマイズできるイオンソースを搭載した実験用装置です。Veeco社の SPECTOR 相等の能力を発揮します。 RFイオンソースをスパッタ用およびスパッタ用／アシスト用として使用し、OMSまたはOTMソフトを搭載した精密光学の超薄膜多層成膜に適しています。 【特長】 ■イオンソースを搭載した実験用装置 ■Veeco社の SPECTOR 相等の能力を備える ■OMSまたはOTMソフトを搭載した精密光学の超薄膜多層成膜に最適 ■使用ニーズに合わせてカスタマイズ可能 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
リアクティブスパッタ、合金スパッタを自在にコントロールしての成膜を実現します
イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 独立した制御により、スパッタレートは勿論、酸化膜・窒化膜などの様々な反応性スパッタも自在にコントロールが可能になります。 これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体成膜、金属ターゲットとセラミックターゲットなどのCo-スパッタ、メタルターゲットからの誘電体・絶縁体成膜など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートする装置です。 イオン供給量とスパッタレートの独立コントロール →スパッタレート、膜質、結晶構造の制御 →ターゲット材のイオン化率の制御 直進性の高い成膜 →イオンビームスパッタの特徴である直進性の高い成膜 多連装ターゲット機構 →幅広い多層膜成膜 複数ターゲットの独立制御 →各ターゲットのスパッタレートを制御してのCo-スパッタ合金成膜 →ターゲットを切り替えての多層成膜 基盤へのバイアス印加制御によるコンフォーマル成膜 →ディープトレンチ、回り込みなどの悪条件下でもコンフォーマルな成膜
高レート リアクティブ成膜 生産装置の最適解
ヘリコンプラズマソースをイオン源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的な方法により、高レートかつ直進性の高い成膜を実現します。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御により、スパッタレートは勿論、酸化膜・窒化膜などの様々な反応性スパッタも自在にコントロールが可能になります。 従前の装置で成膜が難しい強磁性体、メタルターゲットからの誘電体・絶縁体成膜などの成膜を高レートで実現します。 ＜特長＞ ■高速・高効率イオンビームスパッタリング 誘電体・強磁性ターゲットへの最適解 ■ヘリコンプラズマイオンソースとターゲット印加 高速スパッタリングと低コンタミの両立 ターゲット利用効率の向上によるランニングコスト削減 グリッドレス構造によるメンテナンス低減 リモートプラズマ構成による、基盤を低温に保ってのスパッタリング ■枚葉処理 ステップカバレージの向上 クラスターツールによる複合成膜 ■優れた直進性 直進性の高いイオンビームにより、均一な膜厚での成膜が可能。 ステップカバレッジの優れた成膜
ビューラー・ライボルトオプティクスの真空IBS装置
世界最大の真空装置・機器メーカーとして160年近い歴史を持つライボルトオプティクスは、業界のリーダーとして長年の経験を有し、高精度な光学コーティングを実現するための真空薄膜製造装置およびプロセスを提供しています。研究開発用途から大量生産の大型設備まで様々な真空チャンバーサイズを取り揃え、お客様の多様なニーズにお応えいたします。
最大5(220mm径)又は4(300mm径)ターゲット搭載！イオンビームスパッタ装置をご紹介
『scia Coat 200/500』は、最大200mmウエハ基板又は 300mm×500mm基板対応の製品です。 プロセスは、イオンビームスパッタリング(IBS)、 イオンビームエッチング(IBE)、デュアルイオンビーム スパッタリング(DIBS)となっております。 ご用命の際は、お気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大200mmウエハ基板又は300mm×500mm基板対応 ■最大5(220mm径)又は4(300mm径)ターゲット搭載 ■RFソース(120mm～350mm) ■リニアマイクロウエーブECRソース(2×380mm長) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
DWDM成膜用イオンビームスパッタ装置です。
光学分野用イオンビームスパッタ装置です。 スパッタ:16cm RF Ion Source アシスト:16cm RF Ion Source ターゲット：2面 揺動機能 ステージ：自転 膜厚制御：透過型波長可変レーザー膜厚制御 主排気：クライオポンプ 又は TMP+SUPCOLD 詳しくはお問い合わせ願います。
誘電体、強磁性体成膜を高レートかつ高品位に高速成膜
従前のマグネトロンスパッタでは成膜レートが低くなるAl2O3、SiO2などの誘電体、 Feなどの強磁性体の成膜で力を発揮する高速イオンビームスパッタ（IBD)装置です。 ヘリコンプラズマソースをイオン源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的な方法により、高レートかつ直進性の高い成膜を実現します。 ターゲット面全体を高効率で利用するため、貴重・希少なターゲットを用いる成膜工程でのコスト削減にも貢献します。 ＜特長＞ ■高速・高効率イオンビームスパッタリング 誘電体・強磁性ターゲットへの最適解 ■ヘリコンプラズマイオンソースとターゲット印加 高速スパッタリングと低コンタミの両立 ターゲット利用効率の向上によるランニングコスト削減 グリッドレス構造によるメンテナンス低減 リモートプラズマ構成による、基盤を低温に保ってのスパッタリング ■枚葉処理 ステップカバレージの向上 クラスターツールによる複合成膜 ■優れた直進性 直進性の高いイオンビームにより、均一な膜厚での成膜が可能。 ステップカバレッジの優れた成膜
研究開発及び小規模生産用イオンビームスパッタリング装置！
『TFE ニューイオンビームスパッタシリーズ』は、多彩な機能を有する 研究開発及び小規模生産用システムであり、特にMTJ素子等の強磁性薄膜の 薄膜形成がプラズマダメージフリーで可能な強磁性膜・固体電解質 成膜ソリューションです。 また固体燃料電池用電解質の成膜において、良好な膜厚分布を実現した イオンビームスパッタリング装置。 さらには、手動あるいは自動ロードロックが選択可能で、かつPLCおよび PCによる完全自動制御とインターネットによるリモートコントロールを 実現したスパッタリング装置です。 【特長】 ■強磁性素子(MTJ用薄膜の成膜に応用可能なプラズマダメージ フリーなプロセス) ■固体燃料電池用電解質の膜厚均一性に優れた成膜 (グローブボックス装着可能) ■優れた膜厚均一性(＜2％：3σ, 200mmウェーハ) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
リモートソース型イオンビームスパッタ装置 リモートプラズマソースの開発メーカー
PlasmaQuest社 ヘリコン型 高密度イオンソースの開発販売、及び 応用製品の開発販売で25年の歴史を持つ優良企業です。 グリッドレスで高密度なプラズマを発生させるヘリコンプラズマソースは、多くの装置メーカーにOEM供給を続けていおります。 その高品位なプラズマソースをイオン源として、ターゲットにバイアス印加を行う画期的な手法「HiTUS」システムにより、様々な条件やターゲットを用いてのスパッタを実現しています。 従来のマグネトロンスパッタ装置では困難とされる高磁性ターゲットや高誘電ターゲットのスパッタ、金属とセラミックなどの異種ターゲットを同時に用いるCo-スパッタなど、多用途での運用を可能としています。 研究用途から生産規模の装置まで柔軟に対応できる多性を整えています。
RFイオンソースを使用し、シングルステージまたはプラネタリーステージを搭載したイオンビームスパッタリング（IBS）装置です。
お客様用途に合わせて、研究開発用、量産用に装置設計いたします。 【装置特長】 ・プロセス動作圧10-2Pa台(10-4Torr台) 高真空成膜可能 ・コンタミネーションが少ない ・無加熱成膜可能 ・高密度膜 ・反応性成膜可能 ・イオンビームアシスト追加可能 ・膜厚等の制御性良好
新たな素材探索や成膜プロセスの構築をサポートいたします
HiTUSテクノロジー イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 独立した制御により、スパッタレートは勿論、酸化膜・窒化膜などの様々な反応性スパッタも自在にコントロールが可能になります。 これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体成膜、金属ターゲットとセラミックターゲットなどのCo-スパッタ、メタルターゲットからの誘電体・絶縁体成膜など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートいたします。
