【高耐食性Y2O3/YOF膜事例】エッチング装置部品の保護膜に
溶射やエアロゾルデポジションによる保護膜より遥かに耐食性・耐プラズマ性に優れる！独自のイオンアシスト蒸着法による酸化イットリウム
エッチング装置内部材の保護膜に、イオンアシスト蒸着法による耐プラズマ性の高耐食性Y2O3膜（酸化イットリウム膜）, YOF膜（酸フッ化イットリウム膜）を使用した事例をご紹介します。 半導体の微細化は急速に進んでいます。半導体製造競争は歩留まりと装置の稼働時間が大きなカギを握っています。エッチング装置部品の保護膜は、溶射やエアロゾルデポジションによる酸化イットリウム膜が使われていましたが、エッチング装置は、シリコンウエーハにエッチングしますが、同時に装置内もエッチングされるため、発生するパーティクルが製造歩留上の問題となり、先端プロセスでは使えなくなってきています。 イオンアシスト蒸着法による酸化イットリウム膜は、溶射やエアロゾルデポジションによる酸化イットリウム膜と比べて遥かに緻密でパーティクルレベルは大きな優位性を持っています。また、この緻密な膜をスパッターと比べて厚膜に成膜できますので、装置稼働時間を大幅に向上させることができます。
- 企業：つばさ真空理研株式会社 横浜ラボラトリー
- 価格：応相談
