溶射やエアロゾルデポジションによる保護膜より遥かに耐食性・耐プラズマ性に優れる！独自のイオンアシスト蒸着法による酸化イットリウム
エッチング装置内部材の保護膜に、イオンアシスト蒸着法による耐プラズマ性の高耐食性Y2O3膜（酸化イットリウム膜）, YOF膜（酸フッ化イットリウム膜）を使用した事例をご紹介します。 半導体の微細化は急速に進んでいます。半導体製造競争は歩留まりと装置の稼働時間が大きなカギを握っています。エッチング装置部品の保護膜は、溶射やエアロゾルデポジションによる酸化イットリウム膜が使われていましたが、エッチング装置は、シリコンウエーハにエッチングしますが、同時に装置内もエッチングされるため、発生するパーティクルが製造歩留上の問題となり、先端プロセスでは使えなくなってきています。 イオンアシスト蒸着法による酸化イットリウム膜は、溶射やエアロゾルデポジションによる酸化イットリウム膜と比べて遥かに緻密でパーティクルレベルは大きな優位性を持っています。また、この緻密な膜をスパッターと比べて厚膜に成膜できますので、装置稼働時間を大幅に向上させることができます。
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基本情報
韓国で5nmといった最先端の微細化技術を使った製造プロセスで採用されるという実績をもとに、当社は2019年に日本で設立されました。日本の半導体製造業をサポートすべく、エッチング装置部品に成膜致します。第一段階として誘電体窓にY2O3（酸化イットリウム）やYOF（酸フッ化イットリウム）を再生成膜することでRF window（誘電体窓・天板）交換の費用（純正部品購入より再生で大幅にコスト削減！）や装置メンテナンスに伴うダウンタイムを大幅に抑えて装置稼働時間を上げることができます。 誘電体窓やビューポート、EPDへの成膜以外にフォーカスリングやチャンバー側面等の構造物への成膜も順次対応していきます。 耐プラズマ性の成膜で良い膜をお探しの方はぜひ、ご相談ください。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格情報
バッチあたり100万円のコストがかかります。直径1200mmの円に入る部品数によって成膜単価は変わってきます。
納期
用途／実績例
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
カタログ（2）
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企業情報
つばさ真空理研株式会社は、長年の半導体業界における経験を活かし、 半導体製造装置部品の保護膜関連の顧問会社として2019年に創業しました。 2021年、これまで蓄積したノウハウを具現化し導入を加速化するべく、 日本で使用される製造装置については耐食性保護膜も供給する 「受託コーティングベンチャー企業」として生まれ変わりました。 高融点金属酸化膜を級密な膜として捉えると、半導体以外にも多くの 応用が広がってきます。 当社は、ニッチ産業の頂点を目指すことで多くの産業に貢献し、 しいては未来の持続的な発展に尽くしてまいります。