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CoS (Chip on Submount )は高精度ダイ/フリップチップボンダーです。
CoS アライメント精度：±3µm@3σ アプリケーション：レーザーアプリケーションが主 同社製品では、レーザー加熱を採用しており、パルスヒータと比べ 高速に加熱実装が可能となります。 サイクルタイム：5～15 sec/chip 接合方法：共晶はんだ、エポキシ、UV硬化樹脂、レーザー接合 ※超音波接合は非対応 〇その他ダイボンダー/フリップチップボンダー装置 アライメント精度 NANO ±0.3µm @ 3σ AFCplus ±1μm@3σ Nova + ±2.5μm@3σ 〇その他ASMPT製取扱い装置 ・マルチレーザーダイシング装置 ・ワイヤーボンダー装置 ・２次元、３次元パッケージ外観検査装置 ・その他ダイボンダー装置（アライメント精度0.2µm～25µm） 〇ASMPT装置導入実績（国内、国外トータル）： 年間2000台 ダイボンダー、年間4000台ワイヤーボンダー
±1um以下の超高精度アライメント。試作開発に最適
試作／開発に特化したダイフリップチップボンダー。 高精度ダイボンダー＆フリップチップボンディング機能を兼備え モニター画面により手動調整にて超高精度ボンディングを行います。 （型式：MOA1250の場合 無負荷アライメント±１micron） PC又はシーケンサーコントロールにより簡易に高精度ボンディングを実現。 ●シリコンウェハー／チップ／セラミック基板／FR4等対象物を選びません。 ●アクチュエーター単位に移動量のフィールドバックを行い、超高精度を実施。（MOA-1250タイプ） ●エアーカーテン方式ヒートアップステージにより、低酸素濃度中でのボンディング可。 ●多様なオプション 角錐コレット、パルスヒーター、スクライブ機能他。 ●装置は全て受注生産方式、レイアウト、予算、機能等カスタマイズ可。
コト前管理を徹底し、行動指針に乗っ取り行動を”興す”。
株式会社テクサスは、日本電産トーソク株式会社のダイボンダ技術を継承し、その技術を基軸に半導体製造装置の自動化を実践させて頂いております。 安全第一主義経営を実践し、コト前管理を徹底し、行動指針に乗っ取り行動を興します。 【製品案内】 ○DBD4200R / EBD4200R ○DBD4600S / EBD4600 ○DBD3580SW ○EBD4350S 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
高品質・高生産性を実現！更に進化した300mmウェハ対応高精度SiPボンダ
ファスフォードテクノロジ「SiPボンダ(DB830plus＋)」は、SiP組立に特化した300mmウェハ対応のDB800を更に進化させた高速・高性能ダイボンダです。 中間ステージ採用による高品質・高生産性を実現し、多段積層対応の位置補正を備えたビジョンシステムを搭載しています。 積層時のパーティクル軽減のクリーン化対応により、薄ダイ・多段積層に最適なダイボンダです。 【特長】 ○高品質・高生産性 ○多段積層対応 ○薄ダイボンディング技術 ○クリン化技術 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
AFC Plusは､高精度にダイをウエハ/サブストレート/ダイにボンディングが可能なフリップチップボンダーです。
”AFC Plus”は、同社の特許であるアライメント技術を用いて、 高精度に個片化されたダイをウエハ/サブストレート/ダイへ、 ボンディングを可能にした装置です。 【特徴】 ・アライメント精度：±1µm @ 3s ・アライメント技術（特許） ・ボンディング時の接合方法 ・光通信関係やシリコンフォトニクス関連での豊富な導入実績 ・MEMSセンサー、LiDAR、VCSEL etc 豊富な導入実績あり ・R&D向けや量産工場での導入経験豊富 【装置主要仕様】 ・アライメント精度：±0.2µ@3σ ・サイクルタイム：20 to 30 sec（材料により変動） ・ダイサイズ：0.1mm to 20mm ・サブストレートサイズ：MAX 300 x 300 mm ・ボンディングフォース（荷重）：10g to 2kg ・接合方法：共晶はんだ、エポキシ、UV硬化樹脂、レーザー接合 ※超音波接合は非対応
マルチウエハハンドリングダイボンダー（オート）
同社装置は、量産向けの高精度及び高スループットを実現したダイボンダー装置です。
充実したInspection機能が搭載！ボンディング前後での品質を確認することが可能
『MEGA』は、1パスで1枚のサブストレートに複数種類のチップを ボンディングすることが可能な装置です。 オプションを追加することで、精度を25μm～2μmの幅で変える ことが可能。また、充実したInspection機能が搭載されており、 ボンディング前後での品質を確認することが出来ます。 少量多品種向け/量産/R＆Dなど様々な用途での使用が可能です。 【概要】 ■メーカー：ASMPT ■製品名：マルチチップ対応ダイボンダーエポキシ接合、UV接合 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
サブミクロン精度と量産性を両立した超高精度ボンダ
本機は、サブミクロンレベルの超高精度実装と高生産を両立した量産対応の光デバイスや高精度搭載が必要とされるデバイスの量産に最適なフリップチップボンダです。 オプションによりフェースアップ搭載にも対応しています。
繊細なメンブレンチップを1μm以下のポストボンディング精度で積層しています！
シュトゥットガルトのマイクロエレクトロニクス研究所は、シリコン技術、 特定用途向け回路（ASIC）、ナノ構造、イメージセンサー技術などの分野で ビジネス志向の研究を行い、専門的なトレーニングを提供しています。 新しいアプリケーションでは、数cmの大きさのメンブレンチップを非常に 高い精度で積み重ねることが重要な要件となりました。 配置と積層のすべてのステップが完了した後、プロセス全体としての ポストボンディング精度は1μm未満でなければなりませんでした。 当事例では、“ポストボンディング精度1μmのメンブレンチップの スタッキング実装対応ダイボンダー”について紹介しています。 ※事例の詳細内容は、PDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
パートナーにマイクロシステム技術のための先進的研究施設を提供しています！
ノルウェー・サウスイースタン大学が、ノルウェー国内有数の微細技術拠点 において、どのようにファインテック社製アッセンブリ装置を活用し、 イノベーションを促進しているかご紹介します。 8つの拠点に2万人の学生を擁するノルウェー南東部国立大学（USN）は、 ノルウェー国内の教育機関のひとつです。 3か所の地域のカレッジが合併して誕生したこの大学では、現在、多くの 科学分野における学士、修士、博士課程の様々なコースが提供されています。 加えて、USNは国内外の研究・教育において重要な役割を果たしている だけではなく、ダイナミックな経済地域のひとつと極めて密に連携しています。 当事例では、“Electronic Coastにおける高精度ダイボンダー活用”について 紹介しています。 ※事例の詳細内容は、PDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
