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パワーデバイス故障解析(分析) - メーカー・企業と製品の一覧

パワーデバイス故障解析の製品一覧

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【分析】新しい半導体開封技術(Agワイヤ・パワーデバイス)

事例あり。車載向けパワーデバイス開発の活発化に伴い、デバイスの故障解析および良品解析の需要が増えております。

■パワーデバイスへの対応 パワーデバイスは、通常の半導体パッケージよりも信頼性が高い樹脂を使う傾向があり、 そのため開封の難易度も高くなっています。 ここでは、弊社で実施したIGBT開封の事例を紹介しています。 ■Agワイヤを使用した半導体パッケージの開封 近年、金価格の高騰に伴い、Auワイヤの代替品への置き換えが進められています。 銀(Ag)ワイヤには下記のメリットがあり、今後の増加が予想されます。 【Agワイヤの特長】 ■Auワイヤと比較して低価格 ■Auワイヤと同程度の柔らかさを持ち、ボンディングダメージのリスクが低い ■Auワイヤと同等レベルの高い接続信頼性 ■Cuワイヤと比べてボンディング設備への投資負担が少ない その一方で、 Cuワイヤよりも開封時の薬品ダメージが大きく、開封条件の再検討が必要となっています。 弊社では、Au・Cuで長年蓄積した技術に基づき、Agワイヤの開封も可能にしました。 ※詳細は下記までお問い合わせください。

  • 図1.png
  • 図3.png
  • 図4.png
  • その他解析
  • 画像解析ソフト
  • 超音波発振器

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パワーデバイスの故障解析

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理-裏面研磨-  各種サンプル形態に対応します。  Siチップサイズ:200um~15mm角 ■不良箇所特定-裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析-  IR-OBIRCH解析:~100mA/10V ~100uA/25V まで対応  エミッション解析:~2kV まで対応  *低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察-SEM・TEM-  予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し  リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能

  • 受託解析
  • トランジスタ
  • 分析機器・装置

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