生産用 リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置
高レート リアクティブ成膜 生産装置の最適解
ヘリコンプラズマソースをイオン源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的な方法により、高レートかつ直進性の高い成膜を実現します。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御により、スパッタレートは勿論、酸化膜・窒化膜などの様々な反応性スパッタも自在にコントロールが可能になります。 従前の装置で成膜が難しい強磁性体、メタルターゲットからの誘電体・絶縁体成膜などの成膜を高レートで実現します。 ＜特長＞ ■高速・高効率イオンビームスパッタリング 誘電体・強磁性ターゲットへの最適解 ■ヘリコンプラズマイオンソースとターゲット印加 高速スパッタリングと低コンタミの両立 ターゲット利用効率の向上によるランニングコスト削減 グリッドレス構造によるメンテナンス低減 リモートプラズマ構成による、基盤を低温に保ってのスパッタリング ■枚葉処理 ステップカバレージの向上 クラスターツールによる複合成膜 ■優れた直進性 直進性の高いイオンビームにより、均一な膜厚での成膜が可能。 ステップカバレッジの優れた成膜
- 企業：ティー・ケイ・エス株式会社
- 価格：応相談
