技術情報誌 202305-01 水銀プローブによるSiO2膜評価
Si基板上のSiO2膜の電気特性と膜質を、成膜方法ごとに詳細に調査した。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。 【要旨】 水銀プローブ（Hg-Probe）および各種物理分析手法を用いて、Si基板上に異なる方法で成膜したSiO2膜の電気特性と膜質との関係を詳細に調べた。熱酸化SiO2膜と比べて、化学気相蒸着法（CVD）で成膜したSiO2膜は水分や水酸基含有量が高く、SiO2ネットワーク構造の秩序性が低いことをRBS、XPS、FT-IR、SIMSにより明らかにした。Hg-Probeを用いたC-V測定結果から、プラズマCVD成膜のSiO2膜では正の電荷密度が高く、オゾンCVDでは可動電荷密度が高い特徴を有し、加えて、水分含有量と比誘電率には相関関係があることが確認された。I-V測定では、水分含有量の高いオゾンCVD成膜のSiO2膜のリーク電流が顕著であることも示された。また、ウェットエッチングを併用したC-V測定より、プラズマCVDで成膜したSiO2膜は界面付近で電荷分布に拡がりがあることを確認した。 【目次】 １. はじめに ２. 実験 ３. 結果と考察 ４. まとめ
- 企業：株式会社東レリサーチセンター
- 価格：~ 1万円
