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モンテカルロシミュレーションソフト×ペガサスソフトウェア株式会社 - メーカー・企業と製品の一覧

モンテカルロシミュレーションソフトの製品一覧

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動的モンテカルロシミュレーションソフトウェア(SASAMAL)

イオン注入、あるいはスパッタリング現象そのものに関する計算を行うことが可能!

『動的モンテカルロシミュレーションソフトウェア(SASAMAL)』は、 2体衝突近似に基づくモンテカルロ法によるシミュレーションコードです。 アモルファスターゲットに高エネルギーのイオンが入射した際の スパッタリング率、スパッタリング原子の放出角度分布・エネルギー分布、 入射粒子の後方散乱する割合・角度分布・エネルギー分布、イオンの ターゲットへの侵入深さ(Depth Profile)を計算。 各種材料のスパッタリング率の、イオンの入射エネルギー依存性や 入射角度依存性の評価、イオン注入による材料の表面改質プロセスの 評価などに利用できます。 【特長】 ■当製品単体のみを用いた場合でも、イオン注入、あるいはスパッタリング  現象そのものに関する計算を行うことが可能 ■PIC-MCCMやDSMCM と組み合わせて用いた場合、広い範囲の装置パラメータの  影響を調べることも可能 ■装置のガス圧とスパッタリング率の関係なども評価することができる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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シース内モンテカルロ・シミュレーション・モジュール(SMCSM)

内蔵のシースモデルを用いて、短時間で計算することが可能です!

『シース内モンテカルロ・シミュレーション・モジュール(SMCSM)』は、 プラズマシース端からシースを通ってシース底部(ターゲット表面)に 達するイオン、電子のエネルギー分布、角度分布等を計算します。 PIC-MCCM、PHMとも、計算時間がかかりますが、ターゲット表面のイオンの エネルギーについてのみを評価したい場合、当製品は内蔵のシースモデルを 用いて短時間で計算することが可能です。 【特長】 ■PHMの計算結果(シース電位差等)を用いて、基板/ターゲット表面の  イオンエネルギー分布等を計算する ■計算モデルは単純なため、計算時間がかからない ■内蔵のシースモデルを用いることにより、RF放電装置内の基板への  イオンのエネルギー分布(IED)を簡単に推測可能 ■PHMの計算結果を用いれば、装置の電圧、ガス圧等のパラメータと  IEDの関係などが評価できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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