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100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAMを開発！高速動作と低消費電力を実現
『MB85R8M2TA』は、1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、 パラレルインターフェースのFeRAMです。 当社従来品よりもアクセススピードを約30％高速化するとともに、 動作電流を10％削減しており、高速動作と低消費電力を両立。 これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に好適です。 【特長】 ■高書換え耐性（書換え保証回数が多い） ■高速書込み ■低消費電力 ■20年以上の量産実績あり ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
54Mバイト/秒のデータ書換えが可能！8MビットQuad SPI FeRAMを開発しました
『MB85RQ8MLX』は、インターフェースに高速シリアルインターフェースである Quad SPIを搭載することにより、アクセスタイム45ns相当のSRAMに匹敵する 54MB/sの帯域幅を実現した不揮発性メモリです。 メモリ性能を落とすこと無くパラレルインターフェースのSRAMとの置き換えが可能。 従来のパラレルインターフェースより大幅なピン数削減も可能になるため、 基板上の配線レイアウトも簡単になり、BOMコスト削減に貢献いたします。 本製品のほかに3.3V（2.7V～3.6V）で動作する8MビットQuad SPI FeRAM (MB85RQ8MX)も開発中です。 【特長】 ■ビット構成：1 048 576ワード×8ビット ■動作周波数：108MHz(シングル読出しはFSTRDコマンド使用時) ■書込み/読出し耐性：10^13回/バイト ■データ保持特性：10年(+105℃) ■動作電流：18mA @Quad I/O 108MHz ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
豊富な量産実績をもつ、高品質・高信頼性のメモリ
『FeRAM（Ferroelectric Random Access Memory）』は、高速動作の特長を もつ強誘電体不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、EEPROMやフラッシュ メモリなどの不揮発性メモリと比較して、高速書込み、高書換え耐性、 低消費電力の点で優位性があります。 【特長】 ■不揮発性：バッテリバックアップ不要 ■高速書込み：消去（イレーズ）動作不要 ■高書換え耐性：10兆回保証（一部除く） ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
【高速書込み・高書換え回数・低消費電力】バイナリカウンタ機能を内蔵したエンコーダ向け16kビット不揮発メモリ（FeRAM）
FeRAM（強誘電体メモリ）は、高速書込み・高書換え回数・低消費電力という特徴を持つ不揮発性メモリです。 本製品は、さらにチップ内にデータ処理（Data Processing）：バイナリカウンタ機能を内蔵しているため ロータリーエンコーダ用途に最適です。 また、動作温度も～125℃に拡張しております。 【特長】 ■高速書込み・高書換え回数 ■業界トップクラスの低消費電力でバッテリライフを長寿命化 ■バイナリカウンタ機能を内蔵 ■動作温度 －40℃～125℃ ■製品の小型に最適 ※詳しくは【PDFダウンロード】より資料をご確認ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
