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不揮発メモリマクロ PermSRAM（R)
マスクの追加やプロセスの変更なしに 標準CMOSプラットフォームに搭載可能な 高速・高密度の不揮発メモリマクロ 【特徴】 ○複数回書き換え可能なMTP不揮発メモリとして最小のマクロサイズを提供 ○SRAM同様のインターフェースで、SRAM並の高速な リード／ライト時間で使用する事が可能 ○65nm以降の最新のCMOSプロセス世代までの幅広いプロセスをカバー ○150度C以上の高温データ保持特性 ○テスト容易性を持つ ●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。
MRAMは記録密度を高めやすく、消費電力も小さい。不揮発性を備えながら、読み書き速度も極めて高速なのが特徴です。
Chiplus（チップラス）社は、台湾の上場会社Helix Technologyグループの一員として 2002年に設立されたSRAMのメモリーデザインハウスです。 主に、低消費電力SRAM（64K～8M）や高速SRAM、擬似SRAMを製造しています。 また、2007年には台湾のLEDドライバー製造会社を買収し、Chiplus（チップラス）ブランドにて販売を開始しました。 最上位の高品質品が、日本国内大手メーカーにて採用実績があります。 今回はCHiPLUSからMRAMご紹介です。 MRAMとは、記憶素子の素材の一部に磁性体を用い、磁化の状態の変化によって信号の記録を行うもの。 電源が失われても記録された情報が消えない不揮発性メモリに分類されます。 MRAMはDRAM並に記録密度を高めやすく、消費電力も小さい。 フラッシュメモリのように通電しなくても記憶を維持できる不揮発性を備えながら、読み書き速度も極めて高速なのが特徴です。
遅延のない書き込みにより、バッテリバックアップなしで瞬時に不揮発性を実現！
「EXCELON F-RAM」は、シリアルNVRAM(不揮発性メモリー)を実現し、 ミッションクリティカルなデータ取得に、優れた性能と信頼性を提供します。 高速不揮発性データロギング用の小PINSPIおよびQuad SPI(QSPI) インターフェイスを備え、産業用や自動車用など、極端な温度の 過酷な環境下での使用も可能です。 【特長】 ■動作温度：1.8V～3.6Vおよび1.71V～1.89V ■専用256バイト special sector F-RAM ■24ボールFBGAパッケージでの提供 ■動作温度0℃～＋70℃(突入電流制御付きF-RAMの場合)、 -40℃～＋85℃、-40℃～＋105℃ ■データ保持：＋85℃で10年、1014サイクルの耐久性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
インフィニオンのHiRelメモリは極限条件でも動作可能です！
当社で取り扱う、耐放射線不揮発性「SPI F‑RAM」をご紹介します。 センサーや機器のデータストレージ、衛星の校正データのデータロギング、 およびプロセッサのブートコードアプリケーションに好適。 事実上無限の耐久性、即時不揮発性書き込みテクノロジー、100年以上の データ保持、シングル イベント アップセット(SEU)の影響を受けない機能は、 宇宙アプリケーション向けの信頼性の高い不揮発性メモリです。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
動作中、従来のシリアル(SPI/I2C)メモリとまったく同じように動作します！
『シリアルnvSRAM』は、電源がオフになったり切断されたりしても、 書き込まれたデータが保持されるSRAMです。 EEPROM、FRAM、バッテリバックアップ式シリアルSRAM、または64Kビット から最大1Mビットの密度の不揮発性シリアルメモリのニーズを満たす ために使⽤されるその他のハイブリッドソリューションを簡単に 置き換えることができます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
UHF帯の電波を使ったワイヤレス給電により、バッテリーレス（電池レス）の無線デバイスを実現
当社のバッテリーレスソリューションは、当社不揮発性メモリFeRAM製品を 搭載したRFIDの給電の仕組みを利用し、タグ側に付加したデバイスを バッテリーなしで動作させる技術です。 お客様のアプリケーションに沿ったソリューションを提供します。 ■バッテリーレスソリューションによる効果 ＜ユーザーからのメリット＞ ・電池交換不要（購入不要、確保不要） ・ケーブルレスによりモビリティ向上、置き場所の自由度が向上 ＜機器開発メーカーのメリット＞ ・電池ボックス削減により、デザイン性（薄型化、小型化）の自由度が 上がる ・防水、防塵加工が容易となる
最高125℃の高温環境でも最大10兆回のデータ書き換えが可能。車載用、産業機械向けに好適な不揮発性メモリ
「FeRAM」は、強誘電体の素子を使用した不揮発性メモリです。 高書き換え耐性・高速書き込み・低消費電力といったメリットをもちます。 特に『MB85RS4MTY』は、2MビットFeRAM「MB85RS2MTY」の さらなる大容量化ニーズに応えるべく開発された4MビットFeRAM。 125℃の高温環境下においても10兆回のデータ書込み回数ができ、 先進運転支援システム（ADAS）を代表とする車載向けや 産業用ロボット向けに好適です。 【特長】 ■1.8～3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作 ■SPIインターフェースを採用 ■高温環境であっても動作電流が最大4mA（50MHz動作時）、 パワーダウン電流が最大30μAと低消費電力 ※「FeRAM」の詳しい特長や採用事例を紹介した資料を進呈中。 “PDFダウンロード”よりご覧いただけます。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
半導体の不揮発性メモリであるFeRAMについて車載向けや産業向け（工場系）・インフラ向けなどのアプリケーション事例を紹介！
強誘電体メモリ『FeRAMの商談事例』についてご紹介いたします。 カーナビやドライブレコーダなどの車載向けアプリケーションでは、 "リアルタイムでのデータの連続記録"などがメモリに要求されます。 必要とされる特長は、高速書換え耐性、不揮発性、高速書込み。 当製品は、要求する特長を兼ね備えたメモリです。 「データを頻繁に取得したいが、メモリの書換え制限でできない」 「瞬断や停電のときに書込み中のデータ保護の対策が難しい」 このような課題をお持ちのお客様は、是非FeRAMをご検討ください。 【商談事例（抜粋）】 ＜車載向け＞ ■メモリへの要求 ・リアルタイムでのデータの連続記録／アクシデント発生時でのデータ保護 ■必要とされる特長 ・高書換え耐性／不揮発性／高速書込み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAMを開発！高速動作と低消費電力を実現
『MB85R8M2TA』は、1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、 パラレルインターフェースのFeRAMです。 当社従来品よりもアクセススピードを約30％高速化するとともに、 動作電流を10％削減しており、高速動作と低消費電力を両立。 これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に好適です。 【特長】 ■高書換え耐性（書換え保証回数が多い） ■高速書込み ■低消費電力 ■20年以上の量産実績あり ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
54Mバイト/秒のデータ書換えが可能！8MビットQuad SPI FeRAMを開発しました
『MB85RQ8MLX』は、インターフェースに高速シリアルインターフェースである Quad SPIを搭載することにより、アクセスタイム45ns相当のSRAMに匹敵する 54MB/sの帯域幅を実現した不揮発性メモリです。 メモリ性能を落とすこと無くパラレルインターフェースのSRAMとの置き換えが可能。 従来のパラレルインターフェースより大幅なピン数削減も可能になるため、 基板上の配線レイアウトも簡単になり、BOMコスト削減に貢献いたします。 本製品のほかに3.3V（2.7V～3.6V）で動作する8MビットQuad SPI FeRAM (MB85RQ8MX)も開発中です。 【特長】 ■ビット構成：1,048,576ワード×8ビット ■動作周波数：108MHz(シングル読出しはFSTRDコマンド使用時) ■書込み/読出し耐性：10^13回/バイト ■データ保持特性：10年(+105℃) ■動作電流：18mA @Quad I/O 108MHz ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
予期せぬ電源消失も怖くない：瞬停直前のデータを保存して確実な復帰を可能にするFeRAM搭載！
PLC、モーションコントローラ、サーボモーター、HMI等のファクトリー オートメーション用機器を幅広く手掛ける世界的なグローバルカンパニーである 顧客はPLCを始めとする幅広い製品でFeRAMを採用しています。 EEPROMやFLASHメモリ等の従来型の不揮発性メモリでは書き込みの速度が遅く、 最終ユーザからの要求を満足する仕様の実現が厳しいことが明白でした。 高速な不揮発性メモリに採用を絞り、また市場での高い実績のある メモリとしてFeRAMが候補として挙がり、採用を決定しました。顧客はFeRAMを 採用した製品により、最終ユーザ数を更に増加させ、市場での評判と実績を 確実なものとしております。 【事例概要】 ■PLCにおいて、FeRAMはその高速書き込み、高書き換え耐性、優れたデータ 保持性により、高い信頼性とメンテナンス容易性、及び長いシステム寿命の 実現を可能にする ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ミリ秒単位の温度管理を可能に：FeRAMによる高速データ書き込みと長寿命化の実現
FeRAMが採用されている事例では、元々利用していたEEPROMの性能不足による トラブルが原因でFeRAM搭載の検討を開始いただいたものがあります。 書き換え耐性においては、FeRAMとSRAMが要求を満たしていましたが、 障害によりシステム電圧が失われた際でもFeRAMの場合はバッテリの バックアップが不要というメリットがあり、FeRAMの採用が決まっています。 FeRAMの採用により製品の精度、寿命などの信頼性が向上し、またバッテリや キャパシタを使用するための周辺回路の削減につながり、シンプルの回路構成で お客様の開発コスト低減にも寄与しています。 【事例概要】 ■不測の障害でも迅速に復旧 ■ミリ秒単位のログデータも記録可能な高書き換え耐性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
無電源状態でもインメモリでデータのカウンタ演算処理を行い、演算後のデータで上書き保存！
ロータリーエンコーダ用FeRAM（MB85RDP16LX）は内部にカウンタとFeRAMを搭載しているため、モーターの回転数をカウントするロータリーエンコーダに採用すると、コイル起電力などにより発電した微弱電力によりFeRAM内に保存したデータの演算と書込が完了するため、無電源状態でもモーターの回転数をカウントし続けることが可能です。 FeRAMはFLASHメモリなどと違い昇圧電源が不要であり複雑な 内部電源シーケンスの必要がありません。 そのため電源が安定するまでの待ち時間が必要なく、電源立ち上げ後 すぐにメモリにアクセスすることができます。 またEERPOMと違い書込時間の待ち時間が必要なく書換回数も多いため、 インメモリ(FeRAM内)でデータの演算処理も可能です。 【ロータリーエンコーダ用FeRAMを選ぶ5つの理由】 ■高速起動 ■高速書込・高書換耐性 ■低消費電力 ■磁界耐性 ■バッテリー不要 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
新BGA24ピン登場！高速書込み・長期保持を実現する不揮発性メモリ！電断前のデータを高速バックアップ可能なQSPI搭載FeRAM
RAMXEED株式会社が開発した「MB85RQ8MX」は、高性能FeRAM（強誘電体メモリ）を採用した 8Mビット構成の不揮発性メモリです。 バッテリ不要でデータを保持し、QSPIによる高速アクセスと高耐久・長寿命を両立します。 主な特長： ・Quad SPI（QSPI）対応で最大108MHz・54MB/sの高速書込み・読出し ・10¹⁴回の高い書換え耐性 ・データ保持期間は105℃で10年、55℃で95年以上 ・低消費電力設計（スタンバイ時30µA typ）で省電力機器にも好適 ・動作温度範囲－40℃～＋105℃、産業・車載環境で安定動作 ・フラッシュメモリのような書込み遅延がなく、即時書込みが可能（ウェイトタイム不要） ・従来のSOIC16に加えて新たにBGA24ピンパッケージの追加により他メモリからの置換えが容易に 用途例： ・産業機器（HMI）、ネットワーク装置、サーバー、RAIDコントローラ ・IoT機器、監視カメラ、ゲーム機 ※サンプル対応可能。試作・評価段階での導入にも適しております。
サイクル時間、アクセス時間を35nsという高速化を実現！バッテリバックアップをしているSRAMの置き換えに
RAMXEEDでは、当社で取り扱う「高速FeRAM(強誘電体メモリ)」の HS(ホットサンプル)の提供を開始いたしました。 一般的なFeRAMは、サイクル時間：120ns、アクセス時間：65nsですが、 大幅に高速化を図ったものを実現。 ネットワーク関連、ルータ、産業用コンピュータ、ストレージ、 RAIDコントローラ等のアプリケーションに好適です。 【特長】 ■サイクル時間、アクセス時間を35nsという高速化を実現 ■揮発性メモリに必要なバッテリを使用することなくデータ保持ができ、 パッケージ、ピン配置、機能が非同期SRAMと同様の為、バッテリバック アップをしているSRAMの置き換えに好適 ■電池交換の工数やバッテリ外れのトラブルなどを削減することが可能 ■ネットワーク関連、ルータ、産業用コンピュータ、ストレージ、 RAIDコントローラ等のアプリケーションに好適 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高速アクセス、高耐久、高信頼性を実現し、システムのパフォーマンスを向上させる不揮発性メモリ！
『Everspin Technologies Toggle MRAM』は、書き換え回数が無制限の 不揮発性メモリです。 DRAM/SRAMライクなインターフェースで、高速なリード/ライト性能を実現。 バッテリーバックアップなく、メンテナンスフリーで数十年単位での データ保持が可能です。 バッテリーレスによる待機時の消費電流削減のほか、圧倒的な高速性を 活かしたシステムの高速化を実現します。 【特長】 ■高耐久：書き換え回数を気にせず、データを保持する システム構築が可能 ■高性能：DRAM/SRAMライクなインターフェース、高速なリード、 ライト性能を実現 ■永続性：バッテリーバックアップなく、メンテナンスフリーで 数十年単位でのデータ保持が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
主に補助記憶装置として使用！高速なストレージ装置(SSDやUSBメモリなど)として普及
『不揮発性メモリ』(NVRAM)は、電源供給を行わなくてもデータを 保持する半導体メモリです。 当製品は、主に補助記憶装置として使用。DRAMなどの揮発性メモリに 比べると書き換え速度や耐久性(消去・上書き回数の上限)が低いため、 高速なストレージ装置(SSDやUSBメモリなど)として普及しています。 コンピュータのモニタやプリンタ、自動車やスマートカードなど、 設定情報を記憶する必要がある様々なデバイスに使われています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■不揮発性メモリ(NVRAM) STMicroelectronics ■不揮発性メモリ(NVRAM) Maxim Integrated ■不揮発性メモリ(NVRAM) Greenwich Instruments ■不揮発性メモリ(NVRAM) Infineon ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フラッシュメモリを組み込むよりも、コストが安価！高速書込み、高書換え回数、低消費電力など
『強誘電体メモリ』は、FRAM、F-RAM、FeRAMとも呼ばれ、高速動作が 可能な不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、フラッシュメモリや EEPROMなどの不揮発性メモリと比べ、高速書込み、高書換え回数、 低消費電力などの特長を持っています。 CMOS技術を使用して埋め込まれ、マイクロコントローラにFRAMを 搭載できるようになっており、フラッシュメモリを組み込むよりも、 コストが安価になります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Infineon FRAMメモリ,4Mbit,SOIC,SPI,CY15B104Q-SXI ■Infineon FRAMメモリ,2Mbit,SOIC,SPI,FM25V20A-G ■Infineon FRAMメモリ,64kbit,SOIC,I2C,FM24CL64B-G ■Infineon FRAMメモリ,4Mbit,TSOP,パラレル,FM22L16-55-TG ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不揮発性メモリ！それぞれ異なる特長をもっているため得意とする用途も異なります
当社で取り扱っているFeRAM/ReRAMメーカー、RAMXEEDを ご紹介いたします。 強誘電体メモリの「FeRAM」は、不揮発性・高書換耐性・高速書込み・ 低消費電力の4つの特長を備えたメモリです。電源を切ってもデータは 消えません。また、データの重ね書きが可能です。 その他、抵抗変化型メモリの「ReRAM」は、不揮発性・低読出し電流・ 大容量・超小型パッケージの特長を備えたメモリです。 ※RAMXEEDは2025年1月1日より富士通セミコンダクターメモリソリューションから社名変更いたします 【FeRAM 特長】 ■バッテリーフリー(グリーン化製品) ■書換回数がEEPROMの最大1億倍 ■書換えコマンドの発行不要 ■書込みのための内部昇圧不要 ■書込み時間が短いため、書込み時の消費電力が小さい ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
最大20nsの速度でランダムアクセス読み取り/書き込みを実行！
『nvSRAM』は、サイプレスの世界を牽引するSRAMテクノロジーと クラス最大級のSONOS不揮発性テクノロジーという2つの主力 CMOSテクノロジーを1つの強力な製品ラインに組み合わせています。 システムでは、当製品は従来のSRAMとまったく同じように動作。 TSOP、FBGA、SSOP、SOIC パッケージなどの業界標準のRoHS準拠の パッケージオプションで提供されます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
豊富な量産実績をもつ、高品質・高信頼性のメモリ
『FeRAM（Ferroelectric Random Access Memory）』は、高速動作の特長を もつ強誘電体不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、EEPROMやフラッシュ メモリなどの不揮発性メモリと比較して、高速書込み、高書換え耐性、 低消費電力の点で優位性があります。 【特長】 ■不揮発性：バッテリバックアップ不要 ■高速書込み：消去（イレーズ）動作不要 ■高書換え耐性：10兆回保証（一部除く） ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
車載グレード『高品質規格AEC-Q100グレード1』を満たすための高信頼性評価をクリアしたFeRAM
当社は、高温環境で動作を保証するメモリが欲しいという、車載/産業分野のお客様の要望に応え、 2016年から車載対応FeRAM製品を開発し、提供しています。 これらの製品は、従来の製品の動作温度を125℃に拡張しただけではなく、内部回路の設計から 改めて見直すことで信頼性を向上させています。さらに、AEC-Q100の信頼性試験規格に準拠し、 PPAPに対応しています。 また、産業機械などモーター機構を搭載するアプリケーションでは、モーターによる発熱によって 高温になるため、高温環境下においても動作を保証できる電子部品が必要とされています。 当社は、これらの市場のニーズに対して、高信頼性・高性能の125℃動作が可能なFeRAMを提供しています。 【125℃動作のFeRAMの特長】 ■車載グレードと呼ばれる高品質規格AEC-Q100グレード1を満たすための高信頼性評価をクリア ■SPIインターフェース ■メモリ容量：64Kビット～4Mビットまで ※製品一覧の詳細は、下記のサイトをご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ
【高速書込み・高書換え回数・低消費電力】バイナリカウンタ機能を内蔵したエンコーダ向け16kビット不揮発メモリ（FeRAM）
FeRAM（強誘電体メモリ）は、高速書込み・高書換え回数・低消費電力という特徴を持つ不揮発性メモリです。 本製品は、さらにチップ内にデータ処理（Data Processing）：バイナリカウンタ機能を内蔵しているため ロータリーエンコーダ用途に最適です。 また、動作温度も～125℃に拡張しております。 【特長】 ■高速書込み・高書換え回数 ■業界トップクラスの低消費電力でバッテリライフを長寿命化 ■バイナリカウンタ機能を内蔵 ■動作温度 －40℃～125℃ ■製品の小型に最適 ※詳しくは【PDFダウンロード】より資料をご確認ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
PVインバータのダウンタイムを激減：FeRAMの高速書込が可能にするミリ秒単位の電流電圧ロギング
PVインバータを始めとしたエネルギーストレージ、風量発電設備等の 再生可能エネルギー用設備を世界的に展開し、環境保全に先進的なグローバル カンパニーである顧客は、PVインバータにFeRAMを採用しています。 顧客は最終ユーザーから故障時の原因解析を確実に行うために、電流及び 電圧のデータを毎秒ロギングすることを求められておりました。ログを格納する メモリとして、EEPROMやFLASHメモリ等の従来型の不揮発性メモリでは顧客の 製品の長い稼働期間に渡って動作し続けることに課題がありました。 そのため、高速書き込みと高書き換え耐性を持ち、かつ市場での高い実績のある FeRAMの採用により顧客製品の長い全稼働期間に渡って確実にログデータを 格納し、最終ユーザの要求を満足する製品の開発に成功しています。 【事例概要】 ■PVインバータにおいて、FeRAMはその高速書き込み、高書き換え耐性、 優れたデータ保持性により、高い信頼性とメンテナンス容易性、及び 長いシステム寿命の実現を可能にする ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
正確な電力記録で安心充電：停電時も安心のFeRAM搭載EVチャージャー
EV Chargerは電力グリッドからの給電を受け、AC電力をEVのバッテリに 供給するACチャージャーとACから変換されたDC電力をバッテリーに供給する DC急速チャージャーがあり、FeRAMはそのどちらにも使用可能です。 FeRAMは停電や瞬停発生時でもEVに充電された電力を正確に記録し、 ユーザへの適切な課金を実現します。 更に電圧変動や周波数変動といったイレギュラーなイベントのロギングにより、 問題の要因特定に貢献します。 【推奨製品】 ■MB85RS2MTA ■MB85RS256B ■MB85RS64 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
シームレスな電力供給：停電時も途切れない安心をFeRAMで実現
無停電電源装置(UPS)におけるFeRAM活用事例を紹介します。 UPSは停電が発生した場合、バッテリーからのDC電圧を必要な振幅と 周波数のAC電圧に変換することにより継続的な電源供給を保証。 FeRAMはAC電圧波形を常時記録することにより、停電発生時における、 電力グリッドからの電力供給からバッテリーの電力供給へのシームレスな 電力供給を可能にします。 【推奨製品】 ■MB85RQ8MX ■MS85R4M2TA ■MB85RS512T ■MB85RS256B ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
1/100秒の真実を捉える：FeRAMの高速書込みが自動車事故直前の情報を逃さない
エアバッグの電子制御ユニット(ECU)内のイベントデータレコーダー (EDR)でもFeRAMが利用されています。 FeRAMを利用することで、EDRの規定を満たし、事故の原因究明に役立つ詳細なデータの記録・保持が可能です。 EDRは車載型の事故記録装置で、衝突事故などのイベント発生の前後に車両データを記録する機能です。 EDRが記録するデータには速度の変化、速度表示、アクセルペダルの位置、ブレーキのオン/オフが含まれます。 これらのデータを事故後に回収して解析することで、事故直前の運転手の行動、助手席と後部座席の状態、車両全体の状態を明らかにすることが出来ます。 【事例概要】 ■ブレーキ動作状況がより細かく把握できるようになる ■ドライバーの事故発生時の回避行動を正確に知ることができる ■電源が切れる最後の瞬間までのデータが利用可能 ※事例の詳細内容は、関連リンクより閲覧いただけます。 詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽に お問い合わせください。
【電子部品の調達支援】生産中止品（EOL品）や入手困難な電子部品・半導体の緊急調達をサポート！徹底的な検査体制を整備。
【こちらの型番製品をお探しですか？】 ■メーカー名：Microchip ■型番名：24LC1025-I/P オーエン株式会社は、生産中止や納期トラブルにより入手困難になった電子部品を 世界中のネットワークからスピーディーに緊急調達いたします。 必ずお見積書を発行いたしますので、発注前に詳細を確認できて安心です。 市場流通在庫を20年にも渡り見続けてきたベテラン検査員が検査を行い、 合格品のみを出荷します。全ての納品物には検査報告書を同封します。 【当社の検査体制】 ■X線検査 非破壊検査で内部構造を確認し、模造品や粗悪品を検出します。 ■マイクロスコープ リード曲がりや、印字フォントの違和感も細かく確認します。 ■デジタルノギス 100分の1mm単位の寸法測定で、巧妙に作られた模造品を検出します。 ■カーブトレーサー 端子間の電圧・電流の特性波形を画面上に表示し、不良品を検出します。 ★下記のリンクから当社ウェブサイトをご覧ください。 ★下記のダウンロードボタンからは、当社の会社案内をご覧いただけます。 ▼その他お問い合わせ可能な型番は、下記ラインナップをご参照ください。
【電子部品の調達支援】生産中止品（EOL品）や入手困難な電子部品・半導体の緊急調達をサポート！徹底的な検査体制を整備。
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【電子部品の調達支援】生産中止品（EOL品）や入手困難な電子部品・半導体の緊急調達をサポート！徹底的な検査体制を整備。
【こちらの型番製品をお探しですか？】 ■メーカー名：Microchip ■型番名：93LC56BT-E/OT オーエン株式会社は、生産中止や納期トラブルにより入手困難になった電子部品を 世界中のネットワークからスピーディーに緊急調達いたします。 必ずお見積書を発行いたしますので、発注前に詳細を確認できて安心です。 市場流通在庫を20年にも渡り見続けてきたベテラン検査員が検査を行い、 合格品のみを出荷します。全ての納品物には検査報告書を同封します。 【当社の検査体制】 ■X線検査 非破壊検査で内部構造を確認し、模造品や粗悪品を検出します。 ■マイクロスコープ リード曲がりや、印字フォントの違和感も細かく確認します。 ■デジタルノギス 100分の1mm単位の寸法測定で、巧妙に作られた模造品を検出します。 ■カーブトレーサー 端子間の電圧・電流の特性波形を画面上に表示し、不良品を検出します。 ★下記のリンクから当社ウェブサイトをご覧ください。 ★下記のダウンロードボタンからは、当社の会社案内をご覧いただけます。 ▼その他お問い合わせ可能な型番は、下記ラインナップをご参照ください。
