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不揮発メモリマクロ PermSRAM（R)
マスクの追加やプロセスの変更なしに 標準CMOSプラットフォームに搭載可能な 高速・高密度の不揮発メモリマクロ 【特徴】 ○複数回書き換え可能なMTP不揮発メモリとして最小のマクロサイズを提供 ○SRAM同様のインターフェースで、SRAM並の高速な リード／ライト時間で使用する事が可能 ○65nm以降の最新のCMOSプロセス世代までの幅広いプロセスをカバー ○150度C以上の高温データ保持特性 ○テスト容易性を持つ ●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。
MRAMは記録密度を高めやすく、消費電力も小さい。不揮発性を備えながら、読み書き速度も極めて高速なのが特徴です。
Chiplus（チップラス）社は、台湾の上場会社Helix Technologyグループの一員として 2002年に設立されたSRAMのメモリーデザインハウスです。 主に、低消費電力SRAM（64K～8M）や高速SRAM、擬似SRAMを製造しています。 また、2007年には台湾のLEDドライバー製造会社を買収し、Chiplus（チップラス）ブランドにて販売を開始しました。 最上位の高品質品が、日本国内大手メーカーにて採用実績があります。 今回はCHiPLUSからMRAMご紹介です。 MRAMとは、記憶素子の素材の一部に磁性体を用い、磁化の状態の変化によって信号の記録を行うもの。 電源が失われても記録された情報が消えない不揮発性メモリに分類されます。 MRAMはDRAM並に記録密度を高めやすく、消費電力も小さい。 フラッシュメモリのように通電しなくても記憶を維持できる不揮発性を備えながら、読み書き速度も極めて高速なのが特徴です。
MTJ素子数を削減し、消費電力と面積を低減
間欠的コンピューティングは、エナジーハーべスティングによる微量かつ不安定なエネルギー供給下における継続的なエッジ演算処理を可能にする。間欠的コンピューティングにおいては、頻発するエネルギー供給の停止前後における処理の継続性の確保が必須である。そのため、不揮発記憶回路（不揮発レジスタ）を活用し、ローカルなデータ転送のみで内部状態を不揮発記憶処理できる不揮発ロジック回路構造が有望な選択肢となる。 従来の不揮発レジスタは、1ビット記憶回路（不揮発フリップフロップ）をビット数分接続する構成であり、1ビットあたり2個のMTJ素子を必要とするため、面積やエネルギーのオーバーヘッドが大きいという課題があった。本発明は共有リファレンス方式と呼ぶ新たなレジスタ構成を提案する。本方式では、1ビットの情報を1つのMTJ素子とリファレンスMTJ素子の間で保持し、シーケンシャルなバックアップ・リストア処理を採用する。これにより、MTJ素子の数を削減し、回路機能を共有化することで、消費エネルギーを49%、面積を34%低減できることをシミュレーションにより確認した。
遅延のない書き込みにより、バッテリバックアップなしで瞬時に不揮発性を実現！
「EXCELON F-RAM」は、シリアルNVRAM(不揮発性メモリー)を実現し、 ミッションクリティカルなデータ取得に、優れた性能と信頼性を提供します。 高速不揮発性データロギング用の小PINSPIおよびQuad SPI(QSPI) インターフェイスを備え、産業用や自動車用など、極端な温度の 過酷な環境下での使用も可能です。 【特長】 ■動作温度：1.8V～3.6Vおよび1.71V～1.89V ■専用256バイト special sector F-RAM ■24ボールFBGAパッケージでの提供 ■動作温度0℃～＋70℃(突入電流制御付きF-RAMの場合)、 -40℃～＋85℃、-40℃～＋105℃ ■データ保持：＋85℃で10年、1014サイクルの耐久性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
インフィニオンのHiRelメモリは極限条件でも動作可能です！
当社で取り扱う、耐放射線不揮発性「SPI F‑RAM」をご紹介します。 センサーや機器のデータストレージ、衛星の校正データのデータロギング、 およびプロセッサのブートコードアプリケーションに好適。 事実上無限の耐久性、即時不揮発性書き込みテクノロジー、100年以上の データ保持、シングル イベント アップセット(SEU)の影響を受けない機能は、 宇宙アプリケーション向けの信頼性の高い不揮発性メモリです。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
動作中、従来のシリアル(SPI/I2C)メモリとまったく同じように動作します！
『シリアルnvSRAM』は、電源がオフになったり切断されたりしても、 書き込まれたデータが保持されるSRAMです。 EEPROM、FRAM、バッテリバックアップ式シリアルSRAM、または64Kビット から最大1Mビットの密度の不揮発性シリアルメモリのニーズを満たす ために使⽤されるその他のハイブリッドソリューションを簡単に 置き換えることができます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
UHF帯の電波を使ったワイヤレス給電により、バッテリーレス（電池レス）の無線デバイスを実現
当社のバッテリーレスソリューションは、当社不揮発性メモリFeRAM製品を 搭載したRFIDの給電の仕組みを利用し、タグ側に付加したデバイスを バッテリーなしで動作させる技術です。 お客様のアプリケーションに沿ったソリューションを提供します。 ■バッテリーレスソリューションによる効果 ＜ユーザーからのメリット＞ ・電池交換不要（購入不要、確保不要） ・ケーブルレスによりモビリティ向上、置き場所の自由度が向上 ＜機器開発メーカーのメリット＞ ・電池ボックス削減により、デザイン性（薄型化、小型化）の自由度が 上がる ・防水、防塵加工が容易となる
最高125℃の高温環境でも最大10兆回のデータ書き換えが可能。車載用、産業機械向けに好適な不揮発性メモリ
「FeRAM」は、強誘電体の素子を使用した不揮発性メモリです。 高書き換え耐性・高速書き込み・低消費電力といったメリットをもちます。 特に『MB85RS4MTY』は、2MビットFeRAM「MB85RS2MTY」の さらなる大容量化ニーズに応えるべく開発された4MビットFeRAM。 125℃の高温環境下においても10兆回のデータ書込み回数ができ、 先進運転支援システム（ADAS）を代表とする車載向けや 産業用ロボット向けに好適です。 【特長】 ■1.8～3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作 ■SPIインターフェースを採用 ■高温環境であっても動作電流が最大4mA（50MHz動作時）、 パワーダウン電流が最大30μAと低消費電力 ※「FeRAM」の詳しい特長や採用事例を紹介した資料を進呈中。 “PDFダウンロード”よりご覧いただけます。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
半導体の不揮発性メモリであるFeRAMについて車載向けや産業向け（工場系）・インフラ向けなどのアプリケーション事例を紹介！
強誘電体メモリ『FeRAMの商談事例』についてご紹介いたします。 カーナビやドライブレコーダなどの車載向けアプリケーションでは、 "リアルタイムでのデータの連続記録"などがメモリに要求されます。 必要とされる特長は、高速書換え耐性、不揮発性、高速書込み。 当製品は、要求する特長を兼ね備えたメモリです。 「データを頻繁に取得したいが、メモリの書換え制限でできない」 「瞬断や停電のときに書込み中のデータ保護の対策が難しい」 このような課題をお持ちのお客様は、是非FeRAMをご検討ください。 【商談事例（抜粋）】 ＜車載向け＞ ■メモリへの要求 ・リアルタイムでのデータの連続記録／アクシデント発生時でのデータ保護 ■必要とされる特長 ・高書換え耐性／不揮発性／高速書込み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAMを開発！高速動作と低消費電力を実現
『MB85R8M2TA』は、1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、 パラレルインターフェースのFeRAMです。 当社従来品よりもアクセススピードを約30％高速化するとともに、 動作電流を10％削減しており、高速動作と低消費電力を両立。 これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に好適です。 【特長】 ■高書換え耐性（書換え保証回数が多い） ■高速書込み ■低消費電力 ■20年以上の量産実績あり ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
54Mバイト/秒のデータ書換えが可能！8MビットQuad SPI FeRAMを開発しました
『MB85RQ8MLX』は、インターフェースに高速シリアルインターフェースである Quad SPIを搭載することにより、アクセスタイム45ns相当のSRAMに匹敵する 54MB/sの帯域幅を実現した不揮発性メモリです。 メモリ性能を落とすこと無くパラレルインターフェースのSRAMとの置き換えが可能。 従来のパラレルインターフェースより大幅なピン数削減も可能になるため、 基板上の配線レイアウトも簡単になり、BOMコスト削減に貢献いたします。 本製品のほかに3.3V（2.7V～3.6V）で動作する8MビットQuad SPI FeRAM (MB85RQ8MX)も開発中です。 【特長】 ■ビット構成：1,048,576ワード×8ビット ■動作周波数：108MHz(シングル読出しはFSTRDコマンド使用時) ■書込み/読出し耐性：10^13回/バイト ■データ保持特性：10年(+105℃) ■動作電流：18mA @Quad I/O 108MHz ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
予期せぬ電源消失も怖くない：瞬停直前のデータを保存して確実な復帰を可能にするFeRAM搭載！
PLC、モーションコントローラ、サーボモーター、HMI等のファクトリー オートメーション用機器を幅広く手掛ける世界的なグローバルカンパニーである 顧客はPLCを始めとする幅広い製品でFeRAMを採用しています。 EEPROMやFLASHメモリ等の従来型の不揮発性メモリでは書き込みの速度が遅く、 最終ユーザからの要求を満足する仕様の実現が厳しいことが明白でした。 高速な不揮発性メモリに採用を絞り、また市場での高い実績のある メモリとしてFeRAMが候補として挙がり、採用を決定しました。顧客はFeRAMを 採用した製品により、最終ユーザ数を更に増加させ、市場での評判と実績を 確実なものとしております。 【事例概要】 ■PLCにおいて、FeRAMはその高速書き込み、高書き換え耐性、優れたデータ 保持性により、高い信頼性とメンテナンス容易性、及び長いシステム寿命の 実現を可能にする ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ミリ秒単位の温度管理を可能に：FeRAMによる高速データ書き込みと長寿命化の実現
FeRAMが採用されている事例では、元々利用していたEEPROMの性能不足による トラブルが原因でFeRAM搭載の検討を開始いただいたものがあります。 書き換え耐性においては、FeRAMとSRAMが要求を満たしていましたが、 障害によりシステム電圧が失われた際でもFeRAMの場合はバッテリの バックアップが不要というメリットがあり、FeRAMの採用が決まっています。 FeRAMの採用により製品の精度、寿命などの信頼性が向上し、またバッテリや キャパシタを使用するための周辺回路の削減につながり、シンプルの回路構成で お客様の開発コスト低減にも寄与しています。 【事例概要】 ■不測の障害でも迅速に復旧 ■ミリ秒単位のログデータも記録可能な高書き換え耐性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
無電源状態でもインメモリでデータのカウンタ演算処理を行い、演算後のデータで上書き保存！
ロータリーエンコーダ用FeRAM（MB85RDP16LX）は内部にカウンタとFeRAMを搭載しているため、モーターの回転数をカウントするロータリーエンコーダに採用すると、コイル起電力などにより発電した微弱電力によりFeRAM内に保存したデータの演算と書込が完了するため、無電源状態でもモーターの回転数をカウントし続けることが可能です。 FeRAMはFLASHメモリなどと違い昇圧電源が不要であり複雑な 内部電源シーケンスの必要がありません。 そのため電源が安定するまでの待ち時間が必要なく、電源立ち上げ後 すぐにメモリにアクセスすることができます。 またEERPOMと違い書込時間の待ち時間が必要なく書換回数も多いため、 インメモリ(FeRAM内)でデータの演算処理も可能です。 【ロータリーエンコーダ用FeRAMを選ぶ5つの理由】 ■高速起動 ■高速書込・高書換耐性 ■低消費電力 ■磁界耐性 ■バッテリー不要 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
新BGA24ピン登場！高速書込み・長期保持を実現する不揮発性メモリ！電断前のデータを高速バックアップ可能なQSPI搭載FeRAM
RAMXEED株式会社が開発した「MB85RQ8MX」は、高性能FeRAM（強誘電体メモリ）を採用した 8Mビット構成の不揮発性メモリです。 バッテリ不要でデータを保持し、QSPIによる高速アクセスと高耐久・長寿命を両立します。 主な特長： ・Quad SPI（QSPI）対応で最大108MHz・54MB/sの高速書込み・読出し ・10¹⁴回の高い書換え耐性 ・データ保持期間は105℃で10年、55℃で95年以上 ・低消費電力設計（スタンバイ時30µA typ）で省電力機器にも好適 ・動作温度範囲－40℃～＋105℃、産業・車載環境で安定動作 ・フラッシュメモリのような書込み遅延がなく、即時書込みが可能（ウェイトタイム不要） ・従来のSOIC16に加えて新たにBGA24ピンパッケージの追加により他メモリからの置換えが容易に 用途例： ・産業機器（HMI）、ネットワーク装置、サーバー、RAIDコントローラ ・IoT機器、監視カメラ、ゲーム機 ※サンプル対応可能。試作・評価段階での導入にも適しております。
